Gaufrette de GaSb utilisée pour les détecteurs infrarouges, la LED et les lasers infrarouges et les transistors, et les systèmes de Thermophotovoltaic

Gaufrette de GaSb utilisée pour les détecteurs infrarouges, la LED et les lasers infrarouges et les transistors, et les systèmes de Thermophotovoltaic

Description de produit

PAM-XIAMEN offre la gaufrette de GaSb de semi-conducteur composé – antimoniure de gallium qui est développé par LEC (Czochralski encapsulé par liquide) en tant que catégorie epi-prête ou mécanique avec le type de n, le type de p ou semi-isolant dans l'orientation différente (111) ou (100).

L'antimoniure de gallium (GaSb) est une matière semi-conductrice du gallium et de l'antimoine de la famille d'III-V. Il a une constante de trellis d'environ 0,61 nanomètres. GaSb peut être employé pour les détecteurs infrarouges, la LED et les lasers infrarouges et les transistors, et les systèmes thermophotovoltaic.

spécifications de gaufrette de GaSb de 4 ″

1)″ 2 (50.8mm), gaufrette de GaSb de 3 ″ (76.2mm)

Orientation : (100) ±0.5°
Épaisseur (μm) : 500±25 ; 600±25
Type/dopant : P/undoped ; P/Si ; P/Zn
OR (cm-3) : (1~2) E17
Mobilité (cm2/V ·s) : 600~700
Méthode de croissance : LA CZ
Polonais : SSP

2)gaufrette de GaSb de 2 ″ (50.8mm)
Orientation : (100) ±0.5°
Épaisseur (μm) : 500±25 ; 600±25
Type/dopant : N/undoped ; P/Te
OR (cm-3) : (1~5) E17
Mobilité (cm2/V ·s) : 2500~3500
Méthode de croissance : LEC
Polonais : SSP

3)gaufrette de GaSb de 2 ″ (50.8mm)
Orientation : (111) A±0.5°
Épaisseur (μm) : 500±25
Type/dopant : N/Te ; P/Zn
OR (cm-3) : (1~5) E17
Mobilité (cm2/V ·s) : 2500~3500 ; 200~500
Méthode de croissance : LEC
Polonais : SSP

4)gaufrette de GaSb de 2 ″ (50.8mm)
Orientation : (111) B±0.5°
Épaisseur (μm) : 500±25 ; 450±25
Type/dopant : N/Te ; P/Zn
OR (cm-3) : (1~5) E17
Mobilité (cm2/V ·s) : 2500~3500 ; 200~500
Méthode de croissance : LEC
Polonais : SSP

5)gaufrette de GaSb de 2 ″ (50.8mm)
Orientation : (111) B 2deg.off
Épaisseur (μm) : 500±25
Type/dopant : N/Te ; P/Zn
OR (cm-3) : (1~5) E17
Mobilité (cm2/V ·s) : 2500~3500 ; 200~500
Méthode de croissance : LEC
Polonais : SSP

Produits relatifs :
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L'antimoniure de gallium (GaSb) peut être fourni comme gaufrettes avec les finitions de comme-coupe, gravée l'eau-forte ou poli et est disponible dans un large éventail de concentration, de diamètre et d'épaisseur en transporteur.

Le matériel de GaSb présente les propriétés intéressantes pour les dispositifs thermophotovoltaic de (TPV) de jonction simple. GaSb : Le monocristal de Te développé avec Czochralski (Cz) ou méthodes modifiées du chralski de Czo- (MOIS-CZ) sont présentés et le problème de la homogénéité de Te sont discutés. Car la mobilité des porteuses est l'un des points clés pour le cristal en vrac, des mesures de Hall sont effectuées. Nous présentons ici quelques développements complémentaires basés sur le point de vue de traitement matériel : la cristallogénèse en vrac, la préparation de gaufrette, et gravure l'eau-forte de gaufrette. Des étapes suivantes après ces derniers sont liées au p/ aucune élaboration de jonction de r n/p. Quelques résultats obtenus pour différentes approches sur couche mince d'élaboration sont présentés. Ainsi du procédé de diffusion simple de phase vapeur ou du procédé liquide d'épitaxie de phase jusqu'au procédé organique de déposition en phase vapeur en métal nous rapportons une certaine spécificité matérielle.

Le matériel avancé Cie. de Xiamen Powerway, limité (PAM-XIAMEN) est une entreprise de pointe pour la cristallogénèse de semi-conducteur de matériel de semi-conducteur composé, le développement de processus et l'épitaxie de intégration, se spécialisant dans la recherche et la production des gaufrettes de semi-conducteur composé, l sont le champ deux principal : Matériel de SiC&GaN (sic gaufrette et épitaxie, gaufrette de GaN et gaufrette d'epi) et matériel d'III-V (service de substrat et d'epi d'III-V : Gaufrette d'INP, gaufrette de GaSb, gaufrette de GaAs, gaufrette d'InAs et gaufrette d'InSb). Nos gaufrettes sont très utilisées dans l'éclairage de semi-conducteur de LED, communication sans fil, énergie solaire, le dispositif infrarouge, laser, détecteurs et les dispositifs de puissance de semi-conducteur, y compris des dispositifs de puissance, dispositifs hautes températures et dispositifs photoélectriques, l, gaufrette de GaN comprenant GaN sur le SI, GaN dessus sic et GaN sur le saphir sont pour mini/micro LED, électronique de puissance et micro-onde rf.

En tant que principale société professionnelle, nous sommes commis améliorer constamment la qualité des produits existants. PAM-XIAMEN a une équipe technique forte de R&D, composée d'étudiants de troisième cycle, des médecins, maîtres, et a une force forte de R&D. L'épine dorsale technique de la société a été engagée dans la préparation matérielle et la conception et le développement relatifs d'équipement pour presque 30years, et a la recherche en profondeur sur les propriétés d'examen médical, chimiques et électriques des matériaux, procédé matériel de préparation. L'accumulation de beaucoup d'années du dépôt théorique et d'expérience pratique du personnel scientifique et technologique fait la société ont des analyses uniques et des avantages uniques dans le développement des matériaux et de l'équipement appropriés, tout en s'assurant que le plan de conception de performance des produits et d'équipement de la société répondent aux besoins techniques et technologiques réels des utilisateurs.