4" couche épitaxiale de silicium d'Instrinct de couche supérieure de gaufrette de silicium/phosphore a enduit le sous-marin de silicium de couche d'implantation ionique de couche

4" couche épitaxiale de silicium d'Instrinct de couche supérieure de gaufrette de silicium/phosphore a enduit le sous-marin de silicium de couche d'implantation ionique de couche

La gaufrette épitaxiale de silicium est une couche de silicium de monocristal déposé sur une gaufrette de silicium de monocristal (note : il est disponible d'élever une couche d'une poly couche cristalline de silicium sur séparément fortement enduite une gaufrette de silicium cristalline, mais elle a besoin de la couche de tampon (telle que l'oxyde ou le poly-SI) entre le substrat en vrac SI et la couche épitaxiale supérieure)

La couche épitaxiale peut être enduite, pendant qu'elle est déposée, la concentration de dopage précise tout en continuant la structure cristalline du substrat.

Résistivité d'épicouche : <1 ohm-cm="" up="" to="" 150="" ohm-cm="">

Épaisseur d'épicouche : < 1="" um="" up="" to="" 150="" um="">

Structure : N/N+, N-/N/N+, N/P/N+, N/N+/P-, N/P/P+, P/P+, P-/P/P+.

Application de gaufrette : Digital, linéaire, puissance, MOS, dispositifs de BiCMOS.

Nos avantages d'un coup d'oeil

1. Équipement et équipement de test avancés de croissance d'épitaxie.

2. Offrez le plus de haute qualité avec la basse densité de défaut et la bonne aspérité.

3. Soutien et assistance technologique forts d'équipe de recherche de nos clients

La gaufrette épitaxiale de PAM-XIAMEN entretient des caractéristiques :

• Diamètres : 50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm

• Orientation de gaufrette : <100> <111>, <110>

• Épaisseur d'EPI : 4μm 150μm

• Dopants : Arsenic, phosphore, bore

• Gammes typiques de résistivité

• 0,05 – 1 200 ohm-cm

• 3000 – 5 000 ohm-cm (couches intrinsèques)

4" couche épitaxiale de silicium d'Instrinct de couche supérieure de gaufrette de silicium/substrat enduit par phosphore de couche d'implantation ionique de couche//silicium

Quelle est gaufrette d'epi de silicium ?

L'épitaxie est un processus dans lequel une couche monocristalline supplémentaire de silicium est déposée dessus sur la surface en cristal polie d'une gaufrette de silicium. Ce processus permet pour choisir les propriétés matérielles indépendamment du substrat poli, et pour créer par conséquent les gaufrettes qui ont différentes propriétés dans le substrat et la couche épitaxiale. Dans de nombreux cas c'est nécessaire pour la fonction du composant de semi-conducteur.

PAM-XIAMEN peut t'offrir la technologie et le soutien de gaufrette, de plus d'information, visitent svp notre site Web : https://www.powerwaywafer.com,

envoyez-nous l'email chez sales@powerwaywafer.com et powerwaymaterial@gmail.com

La qualité est notre première priorité. PAM-XIAMEN a été ISO9001 : 2008, possède et partage quatre facories modernes qui peuvent fournir tout fait une grande gamme des produits qualifiés pour répondre aux différents besoins de nos clients, et chaque ordre doit être manipulé par notre système de qualité rigoureux. Le rapport des essais est donné pour chaque expédition, et chaque gaufrette sont garantie. Avant 1990, nous sommes énoncés avons possédé le centre de recherche condensé de physique de matière. En 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd lancé central (PAM-XIAMEN), maintenant c'est un principal fabricant de matériel de semi-conducteur composé en Chine.

Le matériel avancé Cie. de Xiamen Powerway, limité (PAM-XIAMEN) est une entreprise de pointe pour la cristallogénèse de semi-conducteur de matériel de semi-conducteur composé, le développement de processus et l'épitaxie de intégration, se spécialisant dans la recherche et la production des gaufrettes de semi-conducteur composé, l sont le champ deux principal : Matériel de SiC&GaN (sic gaufrette et épitaxie, gaufrette de GaN et gaufrette d'epi) et matériel d'III-V (service de substrat et d'epi d'III-V : Gaufrette d'INP, gaufrette de GaSb, gaufrette de GaAs, gaufrette d'InAs et gaufrette d'InSb). Nos gaufrettes sont très utilisées dans l'éclairage de semi-conducteur de LED, communication sans fil, énergie solaire, le dispositif infrarouge, laser, détecteurs et les dispositifs de puissance de semi-conducteur, y compris des dispositifs de puissance, dispositifs hautes températures et dispositifs photoélectriques, l, gaufrette de GaN comprenant GaN sur le SI, GaN dessus sic et GaN sur le saphir sont pour mini/micro LED, électronique de puissance et micro-onde rf.

En tant que principale société professionnelle, nous sommes commis améliorer constamment la qualité des produits existants. PAM-XIAMEN a une équipe technique forte de R&D, composée d'étudiants de troisième cycle, des médecins, maîtres, et a une force forte de R&D. L'épine dorsale technique de la société a été engagée dans la préparation matérielle et la conception et le développement relatifs d'équipement pour presque 30years, et a la recherche en profondeur sur les propriétés d'examen médical, chimiques et électriques des matériaux, procédé matériel de préparation. L'accumulation de beaucoup d'années du dépôt théorique et d'expérience pratique du personnel scientifique et technologique fait la société ont des analyses uniques et des avantages uniques dans le développement des matériaux et de l'équipement appropriés, tout en s'assurant que le plan de conception de performance des produits et d'équipement de la société répondent aux besoins techniques et technologiques réels des utilisateurs.