Sapphire Laser Crystals titanique

Brand Name:CRYLINK
Certification:Iso9001
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Cristaux titaniques de laser de saphir

Saphir de Titaniumdoped (Ti3+ : Al2O3) est largement les lasers accordables d'usedfor et les lasers état solide de femtoseconde. Il a été employé la première fois comme milieu de gain en 1986, et jusqu' maintenant, c'est toujours le meilleur matériel pour la génération ultra-courte d'impulsion. Le substrat-saphir a de bonnes propriétés physiques et optiques. La hauts conduction thermique et bons allégeant des effets thermiques fournissent la facilité d'utilisation pour le laser de puissance élevée.

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Description

Ti : Saphir (saphir enduit par titane, Al2 O3 : Le Ti3+) a un large éventail de bande d'émission de 660 1050 nanomètre, qui des faciitates un grand choix d'exister et d'applications potentielles, telles que les lasers réglables de continu-vague, les oscillateurs mode-verrouillés, les amplificateurs de gazouillement-impulsion, les oscillateurs minces de disque/amplificateurs et les lidars. D'ailleurs, la bande d'absorption du Ti : Le saphir est centré 490 le nanomètre, s'étendant de 400 650 nanomètre, qui le rend approprié aux sources de pompe de beaucoup de différents lasers, par exemple, ion d'argon, ND doublé par fréquence : YAG (ND : YLF), et lasers de vapeur d'en cuivre. En raison de la vie de fluorescence de 3,2 s, Ti : Des cristaux de saphir peuvent être effectivement pompés par les lampes flash dans les systèmes de haute puissance de laser.

Afin d'obtenir la bonne qualité du Ti : Des cristaux de saphir, le Ti3+ enduisant la concentration doit être maintenus assez bas (par exemple 0,15% ou 0,25%). Par conséquent l'absorption limitée de pompe impose habituellement l'utilisation d'une longueur en cristal de plusieurs millimètres, qu'en combination avec la petite taille de tache de pompe (pour l'intensité élevée de pompe) signifie qu'un éclat plutôt élevé de pompe est exigé. Heureusement, le saphir a également une excellente conduction thermique, allégeant des effets thermiques même pour des puissances élevées de laser.

Caractéristiques

Grande gain-largeur de bande

Largeur de bande très grande d'émission

Excellente conduction thermique

Vie courte d'exciter-état (3,2 nous)

Puissance élevée de saturation

Sections transversales relativement élevées de laser

Seuil de dommages élevé

Effet de Kerr fort

Longueurs d'onde possibles larges de pompe

Applications

Lasers d'impulsion de femtoseconde

Hauts oscillateurs de taux de répétition

amplificateurs laser de Gazouiller-impulsion

Amplificateurs multipassage

Amplificateurs régénérateurs

Lasers réglables d'onde entretenue de longueur d'onde

Génération pulsée de rayon X

Oscillateur mince de disque

Systèmes de laser de Petawatt

Paramètres

Propriété

Valeur

Chemicalformula

Ti3+ : Al2 O3

Crystalstructure

hexagonal

Orientation

Parallèle d'A-Axiswithin 5°E-vector au C-axe

Massdensity

3,98 g/cm3

Mohhardness

9

Young'smodulus

335 GPa

Tensilestrength

MPA 400

Meltingpoint

2040°C

Thermalconductivity

33 avec (Mk)

Coefficient de Thermalexpansion

≈5×10-6K-1

Paramètre de résistance de Thermalshock

790 W/m

Refractiveindex 633 nanomètre

1,76

Temperaturedependence de l'indice de réfraction

13×10-6K-1

Tidensity pour 0,1% . dopage

4.56×1019cm-3

Caractéristiques

Propriété

Valeur

Fluorescencelifetime

3,2 s

Emissionwavelength

660~1100nm

Centralemission

800nm

Concentrations

(0.05~0.35) % poids

EndConfiguration

Extrémités plates/Flator Brewster/Brewster

Section d'Emissioncross 790 nanomètre (polarisation parallèle l'axe de c)

41×10-20cm2

AbsorptionCoefficie

Mots clés du produit:
China Sapphire Laser Crystals titanique supplier

Sapphire Laser Crystals titanique

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