Cristal de saphir solide de Ti de laser poli coupant la technique hexagonale

Numéro de type:CRYLINK-Ti : Cristal de saphir
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:1 pièces
Détails d'emballage:carton
Délai de livraison:3-4 semaines
Conditions de paiement:TT
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Adresse: No.200, route de Zgaoxian, zone de Jiading, Changhaï, Chine
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Ti Sapphire Crystal

Description

saphir Titane-enduit (Ti3+ : le saphir) en tant qu'optiquement pompé, cristal de laser état solide est très utilisé dans le laser accordable de longueur d'onde que la gamme réglable est 650-1100nm, et faisant une pointe 800nm, elle est une du cristal le plus large de laser accordable de longueur d'onde. La vie de supérieur-état du Ti : le saphir est court 3.2ms, en raison de la puissance élevée de saturation, il est dur pour le pomper par la lampe, les lasers d'ion d'argon ou le ND fréquence-doublé : Le laser etc. de YAG est habituellement adapté. Utilisant la technologie de auto-mode-verrouillage, le Ti : Le laser de saphir peut produire l'impulsion de laser avec la durée d'impulsion aussi sous peu comme 6.5fs directement, qui est l'impulsion de laser la plus étroite de tous les lasers qui produisent directement de la cavité résonnante. Par la fréquence-double technologie, la longueur d'onde d' rayon laser peut couvrir la bande large du bleu l'ultraviolet profond, a produit 193 que le laser de nanomètre a été utilisé dans la machine de lithographie.

 

Paramètre

Matériel et caractéristiques

MatériauxTi3+ : Al2O3
Concentration(0.05~0.35) % poids
OrientationUn-axe dans 5°, parallèle d'E-vecteur au C-axe
Parallélisme30〞
Perpendicularity
Facteur de mérite (FOM)100~300
Déformation de front des ondes<>
Planéité extérieure<>
Ouverture claire>90%
Qualité extérieure10-5 (MIL-PRF-13830B)
RevêtementsLe revêtement standard est l'AR avec R < 5="">
visage @532 nanomètre et R < 0="">
de 650 nanomètre 850 nanomètre. Revêtements faits sur commande
Chanfrein<0>

Propriétés physiques et chimiques

Crystal StructureHexagonal
Densité3,98 g/cm3
Point de fusion°C 2040
Conduction thermique33 avec (m K)
La dépendance de la température de l'indice de réfraction  10−6K−1 de × de 13  
Paramètre de résistance de choc thermique790 W/m
Dilatation thermique× 10-6K-1 du ≈ 5
Dureté (Mohs)9
Module de Young /GPa335
La chaleur spécifique0,1 cal/g
Résistance la traction/MPA400
Diamètre4-12mm
Densité de Ti pour 0,1% . dopage  1019cm−3 de × de 4,56  

Propriétés optiques et spectrales

Transition de laserF3/2→F1/2
Longueur d'onde de laser660-1200 nanomètre
Émission centrale800 nanomètre
Bande d'absorption de Turnable400-600 nanomètre
Limite d'absorption488 nanomètre
Section transversale @ 790 nanomètre d'émission× 41 10-20 cm2
Vie de fluorescenceMme 3,2
Largeur des raies d'émission650-1100 nanomètre
Indice de réfraction @633 nanomètre1.77@ 532 nanomètre ; 1.76@800 nanomètre ; 1.75@1100 nanomètre
Coefficient d'absorption0.5~6.0 cm-1

Absorption et spectre d'émission

Caractéristique

  • Tunability large de longueur d'onde
  • Large bande de pompe d'absorption
  • Efficacité de sortie prépondérante
  • Vie courte de supérieur-état (3,2 millimètres)
  • Largeur étroite de mode verrouillé
  • Conduction thermique thresholdExcellent de dommages élevés

 

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Cristal de saphir solide de Ti de laser poli coupant la technique hexagonale

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