Circuits intégrés électroniques du non-et EEPROM de THGBMDG5D1LBAIT EMMC 4GB

Mémoire et stockage de données du non-et EEPROM de l'eMMC 4GB de Kioxia Amérique THGBMDG5D1LBAIT

e•MMCTM est une famille de mémoire instantanée avancée et très efficace de non-et avec un contrôleur intégré et a augmenté la gestion de la mémoire principale. Basé sur une interface normalisée par JEDEC, l'e de Toshiba•Le MMC offre une solution appropriée pour les applications dans lesquelles des volumes plus élevés de données doivent être stockés d'une manière rentable. Il est entièrement conforme avec la norme d'interface de mémoire grande vitesse de l'association de carte de multimédia (MMCA)

4GB THGBMDG5D1LBAILINTRODUCTIONTHGBMDG5D1LBAIL est la densité 4GB du produit du module e-MMC logé en 153 paquet de la boule BGA. Cette unité est puce avancée utilisée de dispositifs et de contrôleur d'instantané de non-et de TOSHIBA assemblée en tant que module multi de puce

Le diagramme sur le schéma 1 illustre les blocs fonctionnels principaux du THGBMDG5D1LBAIL.Specification du CREG et des valeurs recommandées du CVCC, et CVCCQ sur le schéma 1 sont comme follows.ParameterSymbolUnitMin.Typ. Le valueCVCCμF de condensateur du valueCREGμF de condensateur de Max.RemarkVDDi 0,10 - 2.2*Except HS400μF 1,00 - 2.2*HS400 VCC - 2,2 + 0,1 - le valueCVCCQμF de condensateur de VCCQ - 2,2 + 0,1 - * Toshiba recommande que la valeur devrait être habituellement appliquée comme valeur de CREG. SignalR PAR EXEMPLE U L L'ATO R de l'entrée-sortie BLOCKx11CORE LOGICVDDiCVCCCVCCQNAND I/ONANDI/O BLOCKNANDControl de l'entrée-sortie BLOCKCREGNAND de DiagramVccQ de bloc du schéma 1 THGBMDG5D1LBAIL (1.8V/3.3V) Vcc (3.3V) MMC I/F (1.8V/3.3V) PackageMMC

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Si vous avez légalement enregistré le brevet, nous pouvons emballer les marchandises dans des vos boîtes marquées après avoir reçu vos lettres d'autorisation.

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