Mémoire vive dynamique de circuits intégrés d'IS41LV16100C-50TLI
ISSIElectronic
1.FEATURES
• Entrées et sorties compatibles de TTL ; entrée-sortie de trois
états
• Régénérez l'intervalle :
— L'automobile de régénèrent le mode : Mme de /16 de 1 024 cycles
— Réservé RAS, CAS-avant-RAS (CBR), et caché
— L'individu régénèrent le mode : Mme de /128 de 1 024 cycles
• Pinout standard de JEDEC
• Alimentation d'énergie simple :
5V ± 10% (IS41C16100C)
3.3V ± 10% (IS41LV16100C)
• L'octet écrivent et l'octet l'opération "lecture" par
l'intermédiaire de deux CAS
• Température ambiante industrielle : -40oC +85oC
2.DESCRIPTION
TheISSIIS41C16100CandIS41LV16100Care1,048,576
dynamique performante de 16 bits de x CMOS accès sélectif
Souvenirs. Ces dispositifs offrent un accès de cycle ont appelé
Mode page prolongé de sortie de données (EDO). EDO Page Mode
permet 1 024 accès sélectifs dans une rangée simple avec
durée de cycle d'accès aussi sous peu que 30 NS par mot de 16 bits.
Il est
asynchrone, car il n'exige pas une entrée de signal d'horloge
pour synchroniser les commandes et l'entrée-sortie.
ThesefeaturesmaketheIS41C/41LV16100Cideallysuited
pour les graphiques grande largeur de bande, traitement numérique
du signal,
systèmes d'ordinateur haut rendement, et périphérique
applications avec lesquelles courez sans horloge pour synchroniser
la DRACHME.
L'IS41C/41LV16100C est empaqueté dans 42 une borne 400 mil
SOJ et goupille de 400 mils 50/44 TSOP (type II)
PARAMÈTRES DE LA SYNCHRONISATION 3.KEY
CONFIGURATIONS 4.PIN 50(44) - Pin TSOP (type II)
SCHÉMA FONCTIONNEL 5.FUNCTIONAL
la description 6.Functional L'IS41C/41LV16100C est une DRACHME de
CMOS optimisée pour la largeur de bande ultra-rapide, applications
de puissance faible. Pendant la LECTURE ou ÉCRIRE des cycles,
chaque peu est uniquement adressé par les 16 peu d'adresse. Ceux-ci
sont entrés dix bits (A0-A9) au temps. L'adresse de rangée est
verrouillée par le stroboscope d'adresse de rangée (RAS). L'adresse
de colonne est verrouillée par le stroboscope d'adresse de colonne
(CAS). RAS est employé pour verrouiller les neuf premiers bits et
CAS est employé pour verrouiller les derniers neuf bits.
L'IS41C/41LV16100C a deux contrôles de CAS, LCAS et UCAS. Les
entrées de LCAS et d'UCAS intérieurement produit d'un signal de CAS
fonctionnant d'une façon identique l'entrée simple de CAS sur les
1M autres x 16 drachmes. La différence principale est que chaque
CAS commande sa logique de trois états correspondante
d'entrée-sortie (en même temps qu'OE et NOUS et RAS). Contrôles de
LCAS I O0 par les contrôles I/O8 d'I/O7 et d'UCAS par I/O15. La
fonction d'IS41C/41LV16100C CAS est déterminée par le premier BAS
transitioning de CAS (LCAS ou UCAS) et la dernière HAUTE arrière
transitioning. Les deux contrôles de CAS donnent l'IS41C16100C et
la LECTURE d'OCTET d'IS41LV16100C et l'OCTET ÉCRIVENT des capacités
de cycle. Le cycle de mémoire du cycle de mémoire A est lancé par
pour apporter RAS BAS et il est terminé en renvoyant RAS et HAUTE
de CAS. assure l'opération appropriée de dispositif et l'intégrité
des données n'importe quel cycle de mémoire, onceinitiated,
mustnotbeendedoraborted avant le temps minimum de tras a expiré. Un
nouveau cycle ne doit pas être lancé jusqu'au trp minimum de temps
de pré-charge, tcp s'est écoulé. Le cycle lu A a lu le cycle est
lancé par le bord en baisse de CAS ou OE, bout de whicheveroccurs,
adresse de whileholdingWEHIGH.Thecolumn doit être tenu pendant un
temps minimum spécifique par le goudron. Les données deviennent
valides seulement quand le trac, le taa, le tcac et le toea sont
tous satisfaisants. En conséquence, le temps d'accès dépend des
relations de synchronisation entre ces paramètres. Écrivez le cycle
A écrivent le cycle est lancé par le bord en baisse de CAS et de
NOUS, celui qui se produit pour la dernière fois. Les données
d'entrée doivent être valides ou beforethefallingedgeofCASorWE,
whicheveroccursfirst. L'automobile régénèrent le cycle pour
maintenir les données, 1 024 régénèrent des cycles sont exigées
dans chacun période de 16 Mme. Il y a deux manières de régénérer la
mémoire. 1. En synchronisant chacune des 1 024 adresses de rangée
(A0 par A9) avec RAS du moins une fois que chaque maximum tref.
N'importe quelle lecture, écrivent,
lecture-modifient-writeorRAS-onlycyclerefreshestheaddressed la
rangée. 2. Utilisant a CAS-avant-RAS régénérez le cycle.
ThefallingedgeofRAS de CAS-beforeRASrefreshisactivatedby, tout en
tenant CAS BAS. Dans CAS-avant-RAS régénérez 9 internes cyclean que
le compteur de bits fournit les adresses de rangée et les entrées
externes d'adresse sont ignorées. CAS-avant-RAS est un mode réservé
régénérer et aucun accès aux données ou sélection de dispositif
n'est permis. Ainsi, la sortie demeure dans le haut-z état pendant
le cycle. L'individu régénèrent le cycle que l'individu régénèrent
permet l'utilisateur une dynamique régénère, mode de conservation
de données au prolongé régénèrent la période de Mme 128 c.--d., 125
µs par rangée quand utilisant CBR distribué régénère. La
caractéristique permet également l'utilisateur le choix d'un mode
de conservation de données de puissance faible entièrement statique
et. L'individu facultatif régénèrent la caractéristique est lancé
en exécutant un CBR régénèrent le cycle et tenir le BAS de RAS pour
le tRAS spécifique. L'individu régénèrent le mode est terminé en
conduisant la HAUTE de RAS pendant un temps minimum de retard de
tRP.This tient compte de l'achèvement de tout interne régénèrent
les cycles qui peuvent être dans le processus l'heure de la
transition HAUTEUR basse de RAS. Si le contrôleur de DRACHME
emploie distribué régénérez l'ordre, un éclat régénèrent n'est pas
exigé lors de sortir l'individu régénèrent. Cependant,
l'iftheDRAMcontrollerutilizesaRAS-onlyorburst régénèrent l'ordre,
chacune des 1 024 rangées doit être régénéré dans l'interne moyen
la vitesse de régénération, avant la reprise du fonctionnement
normal. Des données prolongées hors de l'opération de mode page
d'EDO de mode page permettent chacune des 1 024 colonnes dans une
rangée choisie d'être directement accédées un débit élevé. En mode
page d'EDO lu le cycle, les données- est tenu sur du prochain le
bord en baisse cycle de CAS, au lieu du bord de montée. Pour cette
raison, le temps valide de sortie de données en mode page d'EDO est
prolongé comparé au mode page rapide. En mode page rapide, le temps
valide de sortie de données devient tout plus courte que la durée
de cycle de CAS devient plus courte. Par conséquent, en mode page
d'EDO, la marge de synchronisation dans le cycle lu est plus grande
que celle du mode page rapide même si la durée de cycle de CAS
devient plus courte. En mode page d'EDO, dû la fonction prolongée
de données, la durée de cycle de CAS peut être plus courte qu'en
mode page rapide si la marge de synchronisation est identique.
TheEDOpagemodeallowsbothreadandwriteoperations pendant un cycle de
RAS, mais la représentation est équivalent celui du mode page
rapide dans ce cas. Puissance-sur pendant Puissance-sur, RAS, UCAS,
LCAS, et NOUS doivent tout dépister avec Vdd (HAUTE) pour éviter
des pointes de courant, et permettent l'initialisation de
continuer. Une première pause de 200 µs est exigée suivie d'un
minimum de huit cycles d'initialisation (toute combinaison des
cycles contenant un signal de RAS).
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