semiconducteur métal oxyde de transistor MOSFET de 150W rf RFP-LD10M PXAC241702FC-V1-R250

Transistor RFP-LD10M de l'effet de gisement de semiconducteur métal oxyde de PXAC241702FC-V1-R250 rf (transistor MOSFET de rf)

                                                    Description
ThePXAC241702FC est 28 un FET de V LDMOS avec une conception métrique d'asym destinée l'utilisation dans des applications cellulaires multistandard d'amplificateur de puissance dans la bande de fréquence de 2300 2400 mégahertz. Les caractéristiques incluent le paquet de conception de double-chemin, gain élevé et thermique-augmentée avec la bride earless. Construit avec le processus avancé du LDMOS de Wolfspeed, ce dispositif fournit l'excellente représentation thermique et la fiabilité supérieure.

Toutes les données éditées TCASE = 25°C sauf indication contraire ESD : La décharge électrostatique sensible dispositif-observent manipuler des précautions ! Commande du silicium 4600 | Durham, OR 27703 03, 2018-07-03PXAC241702FC puissance élevée rf LDMOS FET150 W, 28 V, 2300 – 2400 MHzFeatures du paquet H-37248-4Thermally-Enhanced• Conception asymétrique de Doherty - canalisation : P1dB de = type crête 60 W : P1dB de = type 90 W • Assortiment interne bande large d'entrée et sortie • Représentation pulsée typique d'onde entretenue, 2350 mégahertz, 28 V, configuration de Doherty - de puissance de sortie P1dB de = efficacité 100 W = 49% - gain = DB 17,5• Protection intégrée d'ESD : Modèle de corps humain, classe 1C (par JESD22-A114)• Capable de manipuler le 10:1 VSWR @28 V, 120 W (onde entretenue) de puissance de sortie• Basse résistance thermique• sans Pb et RoHS complian

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Si vous avez légalement enregistré le brevet, nous pouvons emballer les marchandises dans des vos boîtes marquées après avoir reçu vos lettres d'autorisation.

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