FS8205A conjuguent le transistor MOSFET 20V 6A de mode d'amélioration de la Manche de N

Double transistor MOSFET d'Amélioration-mode de N-canal de FS8205A (20V, 6A)

1.Description

Ce N-canal 2.5V a spécifié le transistor MOSFET est une version rocailleuse de porte du processus avancé de fossé. Il a été optimisé pour des applications de gestion de puissance avec un large éventail de tension d'entraînement de porte (2.5V-10V)

2.Features

Le RDS (dessus) =38mΩ@VGS=2.5V, ID=5.2A ; Le RDS (dessus) =25mΩ@VGS=4.5V, ID=6A
• Conception haute densité de cellules pour la Sur-résistance très réduite
• Puissance élevée et capacité de remise actuelle
• Tension et courant d'avalanche entièrement caractérisés
• Idéal pour des applications de paquet de batterie d'ion de Li

3.Applications

Protection de batterie
Commutateur de charge
Gestion de puissance

circuit 4.SwitchingTest

Dimension 5.TSSOP-8L

6.Why nous choisissent ?

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