DRACHME IS42S16320F-6TLI de Pin TSOP II de 512M 3.3V SDRAM 32Mx16 166MHz 54

DRACHME 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 Pin TSOP II (400 mil) RoHS, service informatique d'IS42S16320F-6TLI

1.FEATURES

Fréquence du signal d'horloge : 200, 166, 143 mégahertz
• Entièrement synchrone ; tous les signaux ont mis en référence un bord d'horloge positif
• Banque interne pour l'accès/pré-charge de dissimulation de rangée
• Alimentation d'énergie : Vdd/Vddq = 2.3V-3.6V IS42/45SxxxxxF - Vdd/Vddq = 3.3V IS42/45RxxxxxF - Vdd/Vddq = 2,5
• Interface de LVTTL• Longueur éclatée programmable – (1, 2, 4, 8, feuillet plein)
• Ordre éclaté programmable : Séquentiel/imbrication • L'automobile régénèrent (CBR)• L'individu régénèrent
• 8K régénèrent font un cycle chaque Mme 64
• Adresse de colonne aléatoire chaque rhythme
• Latence programmable de CAS (2, 3 horloges)
• La lecture/écriture éclatée et l'éclat lus/simples écrivent la capacité d'opérations
• Arrêt d'éclat par l'arrêt et la commande éclatés de pré-charge
• Paquets : goupille TSOP-II, 54 boule TF-BGA (x16 de 16h54 de x8/x seul)
• Température ambiante
: Message publicitaire (0oC +70oC)
Industriel (- 40oC +85oC)
Des véhicules moteur, A1 (- 40oC +85oC)
Des véhicules moteur, A2 (- 40oC +105oC)

aperçu 2.DEvIcE

Le 512Mb SDRAM est un CMOS grande vitesse, mémoire vive dynamique conçue pour fonctionner dans l'un ou l'autre de systèmes de 3.3V Vdd/Vddqor 2.5V Vdd/Vddqmemory, selon l'option de DRACHME. Intérieurement configuré comme DRACHME de quadruple-banque avec une interface synchrone.
Le 512Mb SDRAM (536 870 912 bits) inclut une AUTOMOBILE RÉGÉNÈRE LE MODE, et une puissance-économie, puissance-downmode. Tous les signaux sont enregistrés sur le bord positif du signal d'horloge, CLK. Toutes les entrées et sorties sont LVTTL compatibles.
Le 512Mb SDRAM a la capacité d'éclater synchroniquement des données un débit élevé avec la génération automatique de colonne-adresse, la capacité d'intercaler entre les banques internes pour cacher le temps de pré-charge et la capacité de changer aléatoirement des adresses de colonne sur chaque rhythme pendant l'accès éclaté
. Une pré-charge auto-synchronisée de rangée lancée la fin de l'éclat
l'ordre est disponible avec la PRÉ-CHARGE AUTOMATIQUE functionenabled. Préchargez une banque tandis que l'accès d'une les trois des autres banques cachera les cycles de pré-charge et fournira l'opération sans couture, ultra-rapide, accès aléatoire.
SDRAM a lu et des accès en écriture sont commencer orienté par éclat un emplacement choisi et continuation pour un nombre programmé d'emplacements dans un ordre programmé. L'enregistrement d'une commande ACTIVE commence des accès, suivis d'une LECTURE ou la touche d'écriture. La commande ACTIVE en même temps que le peu d'adresse enregistré sont employées pour choisir la banque et la rangée accéder (BA0, BA1 choisissent la banque ; A0-A12 choisissent la rangée). La LECTURE ou des touches d'écriture en même temps que le peu d'adresse enregistré sont employées pour choisir l'emplacement commençant de colonne pour l'accès éclaté.
La LECTURE programmable ou ÉCRIVENT des longueurs éclatées se composent de 1, 2, 4 et 8 emplacements ou de feuillet plein, avec un éclat pour terminer l'option

Goupille TSOP - type II de 3.PIN CONFIGURATIONS54 pour x16

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