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1.Caractéristiques
100% testé contre les avalanches
Faible capacité d'entrée et charge de grille
Faible résistance d'entrée de grille
2.Description
Ces MOSFET de puissance canal N sont développés l'aide de la
technologie MDmesh révolutionnaire de STMicroelectronics, qui
associe le processus de drains multiples la disposition horizontale
PowerMESH de la société.Ces dispositifs offrent une résistance
l'état passant extrêmement faible, un dv/dt élevé et d'excellentes
caractéristiques d'avalanche.Utilisant la technique de bande
propriétaire de ST, ces MOSFET de puissance offrent une performance
dynamique globale supérieure aux produits similaires sur le marché
3.Applications
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