Diode bidirectionnelle de déclencheur du DIAC DB3 de silicium avec la capacité de crête en avant élevée
Numéro de type:DB3
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:5000pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:100000pcs par 1 semaine
Délai de livraison:5 - 8 jours de travail
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No.149, route de Zhongxin, ville de Gaocheng, ville de Yixing, Jiangsu, Chine
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Diode bidirectionnelle de déclencheur de DIAC de silicium DB3 SMA avec le paquet extérieur de bti
Caractéristiques
1. Basse fuite inverse
2. Capacité de crête en avant élevée
3. La soudure hautes températures a garanti : 250℃/10 secondes, 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm)
Données mécaniques
·Terminaux : Terminaux axiaux plaqués
·Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
·Position de montage : Quels
Capacités absolues
| Symboles | Paramètre | Valeur | Unité | |
| DB3 | ||||
| PC | Dissipation de puissance sur imprimé Circuit [L=10mm] | TA=50℃ | 150 | mW |
| ITRM | Sur-état maximal répétitif Actuel | tp=10us F=100Hz | 2,0 | |
| TSTG/TJ | Stockage et les 0 températures de jonction perating | -40 +125/-40 110 | ℃ | |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Valeur | Unité | |
| Tension de suite | VBO | Mn. | 28 | V | |
| TYPE. | 32 | ||||
| MAXIMUM. | 36 | ||||
| Symétrie de tension de suite | |VBO1-VBO2| | C=22nF ** | MAXIMUM. | ±3 | V |
| Voltage* dynamique de suite | △V | VBO et VF 10mA | Mn. | 5 | V |
| Voltage* de sortie | Vo | voir le diagramme 2 (R=20Ω) | Mn. | 5 | V |
| Current* de suite | IBOS | C=22nF ** | MAXIMUM. | 100 | μA |
| Time* de hausse | TR | MAXIMUM. | 1,5 | μs | |
| Current* de fuite | IR | VR=0.5VBO maximum | MAXIMUM. | 10 | μA |
Notes : caractéristiques 1.Electrical applicables dans en avant et
des directions inverses.
2.Connected parallèlement aux dispositifs.
Taille :
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Le meilleur service : avec 10 ans d'expérience d'exporter le personnel de vente vous entretiendra.
De haute qualité : aidez-vous éviter d'acheter le risque.
La livraison courte : aidez-vous épargner le temps.
Prix concurrentiel : le prix n'est pas la plus basse mais la plus élevée représentation coûtée
OEM/ODM : nous sommes sûrs nous pouvons vous rencontrer des conditions d'OEM/ODm.
Diode bidirectionnelle de déclencheur du DIAC DB3 de silicium avec la capacité de crête en avant élevée
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