Diode de redresseur montée par surface des applications S1M 1000v

Numéro de type:S1M
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:5000pcs
Conditions de paiement:Union occidentale, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement:1000000pcs par mois
Délai de livraison:Stock
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Diode de redresseur d'usage universel de SMD S1M Surface Mount Rectifier 1A 1000V

 

Caractéristique

 

Le paquet en plastique porte la classification 94V-0 d'inflammabilité de laboratoire de garants

Idée pour la carte électronique

Pour les applications montées extérieures

Puce passivée en verre de jonction

Passe-fils intégré, idéal pour le placement automatisé

Basse fuite inverse

Capacité élevée de courant de montée subite en avant

Soudure hautes températures garantie

 

APPLICATIONS TYPIQUES

 

Pour l'usage dans la rectification d'usage universel des alimentations d'énergie, inverseurs, convertisseurs et diodes de laisser aller pour

consommateur, des véhicules moteur, et télécommunication.

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

Les otherwies d'uniess de température ambiante de l'estimation 25 C ont spécifié.
Charge de mi-onde, de 60Hz, résistive ou inductive monophasé.
Pour la charge capacitive, sous-sollicitez actuel de 20%.
 

TYPE NOMBRESYMBOLES1AS1BS1DS1GS1JS1KS1MUnité
Tension inverse de crête récurrente maximumVRRM501002004006008001000V
Tension maximum de RMSVRMS3570140280420560700V
Tension de blocage maximum de C.CVolts continu501002004006008001000V

Actuel rectifié en avant moyen maximum

.375" longueur d'avance (de 9.5mm) Ta=75 C

SI (POIDS DU COMMERCE)1,0

Courant de montée subite en avant maximal, sinus-vague simple de 8,3 Mme demi

superposé la charge évaluée (méthode de JEDEC)

VF30V

Inverse maximum Ta=25°C actuel de C.C

la tension de blocage évaluée de C.C Ta=125°C

IR

5,0

200

mA

mA

Capacité de jonction typique (note 1)CJ15PF
Résistance thermique typique (note 2)Rè (ja)30°C /W
La température de jonction de stockage et d'opérationTSTG, TJ-65 +150

°C

 

 

Dessin :

 

 

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1. ISO9001 : usine certifiée par 2008

2. 20 ans d'expérience riche de la production de diode

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4. La capacité de production annuelle est plus de 2 milliards

 

 

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