diode de redresseur de silicium de 1A DO-41, diode de redresseur 1n4007 avec la fiabilité élevée
Numéro de type:1N4001S-1N4007S
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:5000pcs
Conditions de paiement:Union occidentale, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement:1000000pcs par mois
Délai de livraison:Stock
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No.149, route de Zhongxin, ville de Gaocheng, ville de Yixing, Jiangsu, Chine
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diode de redresseur d'usage universel de 1A DO-41 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007
Caractéristique
* basse chute de tension en avant
* capacité forte intensité
* fiabilité élevée
* capacité élevée de courant de montée subite
Données mécaniques
* cas : Plastique moulé
* époxyde : Taux de l'UL 94V-0 ignifuge
* avance : Terminaux axiaux, solderable par MIL-STD-202,
la méthode 208 a garanti
* polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
* position de montage : Quels
* poids : 0,22 grammes
ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Les otherwies d'uniess de température ambiante de l'estimation 25 C
ont spécifié.
Charge de mi-onde, de 60Hz, résistive ou inductive monophasé.
Pour la charge capacitive, sous-sollicitez actuel de 20%.
| TYPE NOMBRE | 1N4001S | 1N4002S | 1N4003S | 1N4004S | 1N4005S | 1N4006S | 1N4007S | Unité |
| Tension inverse de crête récurrente maximum | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
| Tension maximum de RMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
| Tension de blocage maximum de C.C | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
Actuel rectifié en avant moyen maximum .375" longueur d'avance (de 9.5mm) Ta=75 C | 1,0 | |||||||
Courant de montée subite en avant maximal, sinus-vague simple de 8,3 Mme demi superposé la charge évaluée (méthode de JEDEC) Tension en avant instantanée maximum 1.0A |
30 1,0 |
V | ||||||
Inverse maximum Ta=25 actuel C de C.C la tension de blocage évaluée de C.C Ta=100 C | 5,0 50 | uA uA | ||||||
| Temps de rétablissement inverse maximum (note 1) | 15 | NS | ||||||
| Capacité de jonction typique (note 2) | 50 | PF | ||||||
| Température ambiante TJ, TSTG d'opération et de température de stockage | -65 +150 | °C | ||||||
Dessin :
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1. ISO9001 : usine certifiée par 2008
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4. La capacité de production annuelle est plus de 2 milliards
diode de redresseur de silicium de 1A DO-41, diode de redresseur 1n4007 avec la fiabilité élevée
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