Diode de redresseur extérieure de rendement élevé de bâti HS1A-HS1M pour l'alimentation d'énergie de changement
Numéro de type:HS1A - HS1M
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:5000pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:500000pcs/mois
Délai de livraison:5 - 8 jours de travail
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No.149, route de Zhongxin, ville de Gaocheng, ville de Yixing, Jiangsu, Chine
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Diode de redresseur extérieure de rendement élevé de bti HS1A par le paquet de HS1M With SMA
Le produit est employé pour commuter l'alimentation d'énergie, appareils électroménagers, tels que le lait de soja
appareils électriques de machine.
Comme fabricant spécialisé des diodes, nous sommes entièrement équipés de la production automatique
lignes comprenant des machines d'assemblée, de soudure, d'essai et d'emballage. Nos matériaux critiques sont
importé des Etats-Unis et du Japon pour assurer la haute qualité, ainsi nos produits se vendent bien dedans dans le monde entier
marchés.
Des produits sont divisés en volume et tresse.
CARACTÉRISTIQUES
Puce passivée en verre de jonction.
Pour l'application montée extérieure
Basse chute de tension en avant
Paquet de profil bas
Soulagement intégré de tache, idéal pour le placement automatique
Commutation rapide pour le rendement élevé
Soudure hautes températures : secondes 260℃/10 sur des terminaux
La matière plastique utilisée porte la classification 94V-O de
laboratoire de garants
DONNÉES MÉCANIQUES
Cas : Plastique moulé
Terminaux : Soudure plaquée
Polarité : Indiqué par la bande de cathode
Emballage : bande de 12mm par E1A DST RS-481
Poids : 0,093 grammes
ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Les otherwies d'uniess de température ambiante de l'estimation 25 C
ont spécifié.
Charge de mi-onde, de 60Hz, résistive ou inductive monophasé.
Pour la charge capacitive, sous-sollicitez actuel de 20%.
| TYPE NOMBRE | HS1A | HS1B | HS1D | HS1F | HS1G | HS1J | HS1K | HS1M | Unité |
| Tension inverse de crête récurrente maximum | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
| Tension maximum de RMS | 35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 420 | 580 | 700 | V |
| Tension de blocage maximum de C.C | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
Actuel rectifié en avant moyen maximum .375" longueur d'avance (de 9.5mm) Ta=55℃ | 1,0 | ||||||||
| Courant de montée subite en avant maximal, sinus-vague simple de 8,3 Mme demi superposée la charge évaluée (méthode de JEDEC) | 30 | ||||||||
| Tension en avant instantanée maximum 1.0A | 1,0 | 1,3 | 1,85 | V | |||||
Inverse maximum Ta=25℃ actuel de C.C la tension de blocage évaluée de C.C Ta=100℃ | 5,0
100 | μA
μA | |||||||
| Temps de rétablissement inverse maximum (note 1) | 50 | 75 | NS | ||||||
| Capacité de jonction typique (note 2) | 20 | 15 | PF | ||||||
| Chaîne TJ de température de fonctionnement | -55 +150 | ℃ | |||||||
| Température ambiante de température de stockage TSTG | -55 +150 | ℃ | |||||||
NOTES :
1. condition d'essai inverse de temps de rétablissement : IF=0.5A,
IR=1.0A, IRR=0.25A
2. mesuré 1MHz et tension inverse appliquée de C.C 4.0V
3. Monté sur la carte PCB avec 0,4" » (10 x 10 millimètres) régions de cuivre de la protection x0.4.
Dessin :
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