Diode de redresseur véritable de silicium 1.5A 1000V avec le rendement élevé
Numéro de type:HER158
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:3000pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:500000pcs/mois
Délai de livraison:5 - 8 jours de travail
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No.149, route de Zhongxin, ville de Gaocheng, ville de Yixing, Jiangsu, Chine
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Diode de redresseur commandée de rendement élevé de silicium véritable HER158 en paquet DO-15 avec le courant 1.5A
CARACTÉRISTIQUES
· Le paquet en plastique a la classification 94V-0 d'inflammabilité de laboratoire de garants
· Basse chute de tension en avant
· Capacité forte intensité, fiabilité élevée
· Perte de puissance faible, rendement élevé
· Capacité élevée de courant de montée subite
· Commutation grande vitesse, basse fuite
· La soudure hautes températures a garanti : 260 secondes ℃/10 sur des terminaux
· Composant dans l'accord RoHS 2015/863/EU
DONNÉES MÉCANIQUES
. Cas : JEDEC DO-15. plastique moulé
. Terminaux : Terminaux axiaux. Solderable par MIL-STD-750. Méthode 2026
. Polarité : La bande de couleur dénote la cathode
. Poids : 0,014 onces. 0,39 grammes
. Position de montage : Quels
ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Les otherwies d'uniess de température ambiante de l'estimation 25 C
ont spécifié.
Charge de mi-onde, de 60Hz, résistive ou inductive monophasé.
Pour la charge capacitive, sous-sollicitez actuel de 20%.
| TYPE NOMBRE | SON 151 | SON 152 | SON 153 | SON 154 | SON 155 | SON 156 | SON 157 | SON 158 | Unité |
| Tension inverse de crête récurrente maximum | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
| Tension maximum de RMS | 35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 420 | 580 | 700 | V |
| Tension de blocage maximum de C.C | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
Actuel rectifié en avant moyen maximum .375" longueur d'avance (de 9.5mm) Ta=55℃ | 1,5 | ||||||||
| Courant de montée subite en avant maximal, sinus-vague simple de 8,3 Mme demi superposée la charge évaluée (méthode de JEDEC) | 50 | ||||||||
| Tension en avant instantanée maximum 5.0A | 1,0 | 1,3 | 1,7 | V | |||||
Inverse maximum Ta=25℃ actuel de C.C la tension de blocage évaluée de C.C Ta=100℃ | 5,0
100 | μA
μA | |||||||
| Temps de rétablissement inverse maximum (note 1) | 50 | 75 | NS | ||||||
| Capacité de jonction typique (note 2) | 50 | 30 | PF | ||||||
| Chaîne TJ de température de fonctionnement | -65 +125 | ℃ | |||||||
| Température ambiante de température de stockage TSTG | -65 +150 | ℃ | |||||||
NOTES :
1. condition d'essai inverse de temps de rétablissement : IF=0.5A,
IR=1.0A, IRR=0.25A
2. mesuré 1MHz et tension inverse appliquée de C.C 4.0V
Dessin :
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Diode de redresseur véritable de silicium 1.5A 1000V avec le rendement élevé
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