diode de commutation ultra-rapide de la récupération 50ns BAV19 BAV20 BAV21 ROHS conforme

Numéro de type:BAV21

Point d'origine:La Chine

Quantité d'ordre minimum:5000pcs

Conditions de paiement:T / T, Western Union

Capacité d'approvisionnement:100000pcs par 1 semaine

Délai de livraison:5 - 8 jours de travail

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L'électronique Cie., Ltd de Wuxi Xuyang.

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Adresse: No.149, route de Zhongxin, ville de Gaocheng, ville de Yixing, Jiangsu, Chine

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Diode de signal grande vitesse de diode de commutation de BAV19 BAV20 BAV21 petite

Caractéristiques

• Paquet DO-35 (JEDEC)

• Type de dispositif d' travers-trou support

• Verre hermétiquement scellé

• Construction collée de compression

• Toutes les surfaces externes sont anticorrosion et les avances sont aisément solderable

• ROHS conforme

• Finition d'avance de bidon d'immersion chaude de soudure (Sn)

• La cathode a indiqué par la bande de polarité

• La bande indique la cathode

Estimations maximum et caractéristiques thermiques (MERCI = 25°C sauf indication contraire)

Paramètre	Symbole	Limite	Unité
Tension inverse continue BAV19 BAV20 BAV21	VR	100 150 200	V
Tension inverse maximale répétitive BAV19 BAV20 BAV21	VRRM	120 200 250	V
Courant en avant de C.C Tamb = 25°C ⁽¹⁾	SI	250	mA
Actuel rectifié (moyenne) Rectification demi onde avec la charge résistive Tamb = 25°C	SI (POIDS DU COMMERCE)	200	mA
Courant en avant maximal répétitif au ≥ de f 50Hz, È = 180°, Tamb = 25°C ⁽¹⁾	IFRM	625	mA
Courant en avant de montée subite t < 1s et Tj = 25°C	IFSM	1
Dissipation de puissance Tamb = 25°C ⁽¹⁾	Ptot	500	mW
Jonction de résistance thermique l'air ambiant ⁽¹⁾	RèJA	430	°C/W
La température de jonction ⁽¹⁾	Tj	175	°C
Température ambiante de température de stockage ⁽¹⁾	SOLIDES TOTAUX	– 65 +175	°C

Caractéristiques électriques (TJ = 25°C sauf indication contraire)

Paramètre	Symbole	Condition d'essai	Minute	Type	Maximum	Unité
Tension en avant	VF	SI = 5mA SI = 100mA	— —	— —	1,00 1,25	V
Fuite BAV19 actuel BAV19 BAV20 BAV20 BAV21 BAV21	IR	VR = 100V VR = 100V, Tj = 100°C VR = 150V VR = 150V, TJ = 100°C VR = 200V VR = 200V, TJ = 100°C	— — — — — —	— — — — — —	100 15 100 15 100 15	Na μA Na μA Na μA
Résistance en avant dynamique	rf	SI = 10mA	—	5	—	V
Capacité	Ctot	VR = 0, f = 1MHz	—	1,5	—	PF
Temps de rétablissement inverse	trr	SI = 30mA, IR = 30mA, IRR = 3mA, RL = 100Ω	—	—	50	NS