Diodes de commutation rapides de petit signal d'usage universel 1N4448 avec le cas DO-35
Numéro de type:1N4448
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:5000pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:100000pcs par 1 semaine
Délai de livraison:5 - 8 jours de travail
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No.149, route de Zhongxin, ville de Gaocheng, ville de Yixing, Jiangsu, Chine
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Détails du produit
diode simple grande vitesse de diode de commutation 1N4448 petite avec le cas DO-35
Caractéristiques
• Diode planaire épitaxiale de silicium
• Diode de changement rapide.
• Cette diode est également disponible dans d'autres styles de cas comprenant le cas SOD-123 avec le type
désignation 1N4448W, le cas de MiniMELF avec le type désignation LL4148, le SOT-23
cas avec le type désignation IMBD4148.
.
Données mécaniques
Cas : Caisse en verre DO-35
Poids : approximativement 0.13g
Estimations maximum et caractéristiques thermiques (MERCI = 25°C sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Limite | Unité |
| Tension inverse | VR | 75 | V |
| Tension inverse maximale | VRM | 100 | V |
Courant rectifié moyen Rectification demi onde avec la charge résistive Tamb = 25°C | SI (POIDS DU COMMERCE) | 150 | mA |
| Courant en avant de montée subite t < 1s et Tj = 25°C | IFSM | 500 | mA |
| Dissipation de puissance Tamb = 25°C | Ptot | 500 | mW |
| Jonction de résistance thermique l'air ambiant | RθJA | 350 | °C/W |
| La température de jonction | Tj | 175 | °C |
| Température de stockage | SOLIDES TOTAUX | – 65 +175 | °C |
Caractéristiques électriques (TJ = 25°C sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Condition d'essai | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension en avant | VF | SI = 5mA SI = 100mA | 0,62 — | — — | 0,70 1,0 | V |
| Fuite actuelle | IR | VR = 20V VR = 75V VR = 20V, TJ = 150°C | — — — | — — — | 25 5 50 | Na μA μA |
| Tension claque inverse | V (BR) R | IR = 100ìA (pulsés) | 100 | — | — | V |
| Capacité | Ctot | VF = VR = 0V | — | — | 4 | PF |
| Temps de rétablissement inverse | trr | SI = 10mA, IR = 1mA, VR = 6V, RL = 100Ù | — | — | 4 | NS |
| Efficacité de rectification | nanovolt | f = 100MHz, VRF = 2V | 0,45 | — | — | — |
Dessin :
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Diodes de commutation rapides de petit signal d'usage universel 1N4448 avec le cas DO-35
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