4ns jeûnent 1n4150 la diode, diode de signal de commutation avec la fiabilité élevée
Numéro de type:1N4150
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:5000pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:100000pcs par 1 semaine
Délai de livraison:5 - 8 jours de travail
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No.149, route de Zhongxin, ville de Gaocheng, ville de Yixing, Jiangsu, Chine
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Détails du produit
diode de commutation 1N4150 grande vitesse 1N4150 50V 200MA avec le paquet DO-35
Caractéristiques
1. Fiabilité élevée
2. capacité actuelle en avant élevée
.
Applications
Commutateur grande vitesse et utilisation d'usage universel dans l'ordinateur et les applications industrielles
Construction
Planaire épitaxial de silicium
Données mécaniques
Cas : DO-35, MiniMELF
Terminaux : Avances plaquées Solderable par MIL-STD-202, méthode 208
Polarité : Bande de cathode
Poids : DO-35 0,13 grammes de MiniMELF 0,05 grammes
Inscription : Bande de cathode seulement
Capacités absolues
TJ = 25°C
| Paramètre | Conditions d'essai | Symbole | Valeur | Unité |
| Tension inverse maximale répétitive | VRRM | 50 | V | |
| Tension inverse | VR | 40 | V | |
| Courant de montée subite en avant maximal | tp≦1 s | IFSM | 4 | |
| Courant en avant | SI | 600 | mA | |
| Courant en avant moyen | VR =0 | IFAV | 300 | mA |
| Dissipation de puissance | Picovolte | 500 | mW | |
| La température de jonction | Tj | 175 | ℃ | |
| Température ambiante de température de stockage | Tstg | -65~+125 | ℃ |
Résistance thermique maximum
TJ = 25°C
| Paramètre | Conditions d'essai | Symbole | Valeur | Unité |
| Jonction ambiante | sur la carte de circuit imprimé 50mm×50mm×1.6mm | RthJA | 500 | K/W |
Caractéristiques électriques
TJ = 25°C
| Paramètre | Condition d'essai | Symbole | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Tension en avant | SI = 1mA | VF | 0,54 | 0,62 | V | |
| SI = 10mA | VF | 0,66 | 0,74 | V | ||
| SI = 50mA | VF | 0,76 | 0,86 | V | ||
| SI = 100mA | VF | 0,82 | 0,92 | V | ||
| SI = 200mA | VF | 0,87 | 1,0 | V | ||
| Courant inverse | VR = 20V | IR | 100 | Na | ||
| VR = 50V, TJ = 150°C | IR | 100 | μA | |||
| Capacité de diode | VR = 0, f=1MHz, VHF-50mV | CD | 2,5 | PF | ||
| Temps de rétablissement inverse | SI = IR = 10… 100mA, IR = 1mA, RL = 100Ω | trr | 4 | NS |
Dessin :
4ns jeûnent 1n4150 la diode, diode de signal de commutation avec la fiabilité élevée
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