FM24CL04B-GTR 4 - mémoire non volatile de Kbit, interface rapide périodique de la mémoire instantanée I2C de FRAM
Numéro de type:FM24CL04B
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Union，PAYPAL ouest
Capacité d'approvisionnement:100000pcs
Délai de livraison:1-3 jours
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 1120, plancher 11rd, nouvelle Asie Guoli Building, secteur de Futian, ville de Shenzhen, province du Guangdong Chine, code postal : 518031
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Détails du produit
La puce de mémoire instantanée de FM24CL04B-GTR 4Kbit jeûnent éclair périodique 2 fils de l'interface série FRAM
Description
Le FM24CL04B est une mémoire non volatile 4-Kbit utilisant un
processus ferroélectrique avancé. Une mémoire accès sélectif ou un
F-RAM ferroélectrique est non-volatile et exécute lit et écrit
semblable RAM. Il fournit la conservation fiable de données pendant
151 années tout en éliminant les complexités, les frais généraux,
et les problèmes au niveau système de fiabilité provoqués par
EEPROM et d'autres mémoires non volatiles. la différence d'EEPROM,
le FM24CL04B exécute écrit des opérations la vitesse d'autobus.
Aucun écrivez les retards sont encourus. Des données sont écrites
la rangée de mémoire juste après que chaque octet est avec succès
transféré au dispositif. Le prochain cycle d'autobus peut débuter
sans besoin de vote de données. En outre, le produit offre la
partie essentielle écrivent la résistance comparée d'autres
mémoires non volatiles. En outre, F-RAM montre la puissance faible
beaucoup pendant écrit qu'EEPROM puisqu'écrivez les opérations
n'exigent pas une tension d'alimentation électrique intérieurement
élevée pour écrivent des circuits. Le FM24CL04B est capable de
soutenir 1014 cycles lecture/écriture, ou écrivent 100 millions de
fois davantage des cycles qu'EEPROM. Ces capacités font l'idéal de
FM24CL04B pour des applications de mémoire non volatile, exigence
fréquente ou rapide écrit. Les exemples s'étendent de
l'enregistrement de données, d'où le nombre écrivent des cycles
peut être critique, exiger les contrôles industriels où les longs
écrivent la période d'EEPROM peuvent causer la perte de données. La
combinaison des caractéristiques permet une écriture plus fréquente
de données avec moins de frais généraux pour le système. Le
FM24CL04B fournit les indemnités substantielles aux utilisateurs
(I2C) d'EEPROM périodique comme remplacement de réunion informelle
de matériel. Les caractéristiques de dispositif sont garanties sur
une température ambiante industrielle – de 40 C +85 C.
Caractéristiques
mémoire accès sélectif ferroélectrique du ■ 4-Kbit (F-RAM) logiquement
organisé en tant que 512 × 8
la Haut-résistance 100 trillion de ❐ (1014) indiqué/écrit
❐ conservation de 151 données d'an (voir la conservation et la résistance de données
la page 10)
Le ❐ NoDelay™ écrit
Processus ferroélectrique de haut-fiabilité avancée de ❐
Interface série 2 fils rapide de ■ (I2C)
❐ jusqu' la fréquence 1-MHz
Remplacement direct de matériel de ❐ pour (I2C) EEPROM périodique
Le ❐ soutient des synchronisations de legs pour 100 kilohertz et 400 kilohertz
Consommation de puissance faible de ■
courant actif du A du ❐ 100 100 kilohertz
courant de réserve du A (type) du ❐ 3
Opération de tension de ■ : VDD = 2,7 V 3,65 V
La température industrielle de ■ : – 40 C +85 C
paquet de (SOIC) de circuit intégré d'ensemble de goupille du ■ 8 petit
Restriction de ■ des substances dangereuses (RoHS) conforme
mémoire accès sélectif ferroélectrique du ■ 4-Kbit (F-RAM) logiquement
organisé en tant que 512 × 8
la Haut-résistance 100 trillion de ❐ (1014) indiqué/écrit
❐ conservation de 151 données d'an (voir la conservation et la résistance de données
la page 10)
Le ❐ NoDelay™ écrit
Processus ferroélectrique de haut-fiabilité avancée de ❐
Interface série 2 fils rapide de ■ (I2C)
❐ jusqu' la fréquence 1-MHz
Remplacement direct de matériel de ❐ pour (I2C) EEPROM périodique
Le ❐ soutient des synchronisations de legs pour 100 kilohertz et 400 kilohertz
Consommation de puissance faible de ■
courant actif du A du ❐ 100 100 kilohertz
courant de réserve du A (type) du ❐ 3
Opération de tension de ■ : VDD = 2,7 V 3,65 V
La température industrielle de ■ : – 40 C +85 C
paquet de (SOIC) de circuit intégré d'ensemble de goupille du ■ 8 petit
Restriction de ■ des substances dangereuses (RoHS) conforme
Applications
Industriel, communications et mise en réseau
FM24CL04B-GTR 4 - mémoire non volatile de Kbit, interface rapide périodique de la mémoire instantanée I2C de FRAM
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