880nM 2 transistor des GOUPILLES 3DU5C IGBT, phototransistor de silicium de NPN avec le métal encapsulé

880nM 2 phototransistor de silicium des GOUPILLES 3DU5C NPN avec le métal encapsulé

Caractéristiques : 

phototransistor de silicium du  NPN ;

modèle de  : 3DU5C
tension locale de  (maximum) : 10V ;
tension claque inverse de  : 15V ;
courant d'obscurité de  : 0.3uA
 Photocurrent : 0.5-1mA ;
puissance de  : 30mW ;
longueur d'onde maximale de  : 880nM
taille du corps de  : 7 x 5mm/0,28" x 0,2" (L*D) ;
longueur totale de  : 28mm/1,1" ;
matériel externe de  : Métal

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