Tension actuelle 55V du transistor de puissance du transistor MOSFET 31A IRFR5305TRPBF pour le général de circuit de puissance
Numéro de type:IRFR5305TRPBF
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Union，PAYPAL ouest
Capacité d'approvisionnement:100000pcs
Délai de livraison:1-3 jours
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Pièce 1120, plancher 11rd, nouvelle Asie Guoli Building, secteur de Futian, ville de Shenzhen, province du Guangdong Chine, code postal : 518031
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Transistor MOSFET de puissance du transistor TO252 55V 31A d'IRFR5305TRPBF pour le général de circuit de puissance
IRFR5305PbF
IRFU5305PbF
Description
La cinquième génération HEXFET s de redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de commutation rapide et la conception robuste de dispositif que les transistors MOSFET de puissance de HEXFET® sont bien connus pour, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.
Le D-PAK est conçu pour le support extérieur utilisant la phase vapeur, l'infrarouge, ou les techniques de soudure de vague. La version droite d'avance (série d'IRFU) est pour des applications de support d' travers-trou. Les niveaux de dissipation de puissance jusqu' 1,5 watts sont possibles dans des applications extérieures typiques de bti.
Capacités absolues
Paramètre | Maximum. | Unités | |
Identification @ comité technique =°C 25 | Courant continu de drain, VGS @ -10V | -31 | A |
Identification @ comité technique =°C 100 | Courant continu de drain, VGS @ -10V | -22 | |
IDM | Courant pulsé de drain |
Tension actuelle 55V du transistor de puissance du transistor MOSFET 31A IRFR5305TRPBF pour le général de circuit de puissance
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