Le transistor de transistor MOSFET de la Manche d'IRF9540NPBF P, 100V 23A jeûnent transistor de commutation
Numéro de type:IRF9540NPBF
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Union，PAYPAL ouest
Capacité d'approvisionnement:100000pcs
Délai de livraison:1-3 jours
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Pièce 1120, plancher 11rd, nouveau bâtiment de l'Asie Guoli, secteur de Futian, ville de Shenzhen, province du Guangdong Chine, code postal : 518031
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P creusent des rigoles la puissance élevée de transistor MOSFET de transistor de commutation d'IRF9540NPBF TO-220 100V 23A
Description
La cinquième génération HEXFET s de redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de commutation rapide et la conception robuste de dispositif que les transistors MOSFET de puissance de HEXFET® sont bien connus pour, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.
Le D-PAK est conçu pour le support extérieur utilisant la phase vapeur, l'infrarouge, ou les techniques de soudure de vague. La version droite d'avance (série d'IRFU) est pour des applications de support d' travers-trou. Les niveaux de dissipation de puissance jusqu' 1,5 watts sont possibles dans des applications extérieures typiques de bti.
Le transistor de transistor MOSFET de la Manche d'IRF9540NPBF P, 100V 23A jeûnent transistor de commutation
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