Transistor de puissance à haute fréquence de transistor MOSFET pour les télécom/usage industriel IRLR7843TRPBF
Numéro de type:IRLR7843TRPBF
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Union，PAYPAL ouest
Capacité d'approvisionnement:100000pcs
Délai de livraison:1-3 jours
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 1120, plancher 11rd, nouveau bâtiment de l'Asie Guoli, secteur de Futian, ville de Shenzhen, province du Guangdong Chine, code postal : 518031
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Transistor MOSFET de puissance du transistor IRLR7843TRPBF TO-252 30V 161A pour des télécom et l'usage industriel
IRLR7843PbF IRLU7843PbF
Description
Sélection de transistor MOSFET de puissance pour les convertisseurs non isolés de DC/DC
Capacités absolues
Paramètre | Maximum. | Unités | |
VDS | Tension de Drain--source | 30 | V |
VGS | Tension de Porte--source | ± 20 | |
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 25°C | Courant continu de drain, VGS @ 10V | 161f | A |
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 100°C | Courant continu de drain, VGS @ 10V | 113f | |
IDM | Drain pulsé c actuel | 620 | |
Palladium @TC = 25°C | Dissipation de puissance maximum g | 140 | W |
Palladium @TC = 100°C | Dissipation de puissance maximum g | 71 | |
Facteur de sous-sollicitation linéaire | 0,95 | W/°C | |
TJ TSTG | Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | -55 to+175 | °C |
La température de soudure, pendant 10 secondes | 300 (1.6mm du cas) |
Caractéristiques
l le RDS très bas (dessus) 4.5V VGS
l impédance très réduite de porte
l tension et courant d'avalanche entièrement caractérisés
Applications
l convertisseurs synchrones haute fréquence de mle pour la
puissance de processeur d'ordinateur
l convertisseurs de DC-DC d'isolement par haute fréquence avec la
rectification synchrone pour des télécom et l'usage industriel
l sans plomb
Transistor de puissance à haute fréquence de transistor MOSFET pour les télécom/usage industriel IRLR7843TRPBF
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