Transistor sans plomb de transistor MOSFET de la Manche de N, transistor à grande vitesse IRF640NPBF de transistor MOSFET de 200V 18A
Numéro de type:IRF640NPBF
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Union，PAYPAL ouest
Capacité d'approvisionnement:100000pcs
Délai de livraison:1-3 jours
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Pièce 1120, plancher 11rd, nouvelle Asie Guoli Building, secteur de Futian, ville de Shenzhen, province du Guangdong Chine, code postal : 518031
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La Manche 200V 18A du transport N d'IMMERSION d'IRF640NPBF commutant le transistor de puissance de transistor MOSFET
Description
Le transistor MOSFET s de puissance de ® de la cinquième génération HEXFET du redresseur international utilisent
des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement -
la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage,
combiné avec la vitesse de commutation rapide et la conception
robuste de dispositif que les transistors MOSFET de puissance de
HEXFET sont bien connus pour, fournit au concepteur un dispositif
extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété
d'applications.
Le paquet TO-220 est universellement préféré pour toutes les
applications commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de
puissance approximativement 50 watts. La basse résistance thermique
et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent son acceptation
large dans toute l'industrie.
Le
D2PAKestunpaquetextérieurdepuissancedebticapabledeserviablemeurentdestaillesjusqu'HEX-4.
Ilfournitlacapacitéde lapuissancela plus élevéeetleplus
baspossiblesurlarésistanceenn'importe
quelpaquetextérieurexistantdebti. LeD2PAKconvientauxapplications
forte intensitéen
raisondesabasserésistanceinternedeconnexionetpeutabsorberjusqu'2.0Wdansuneapplicationextérieuretypiquedebti.
La version d' travers-trou (IRF640NL) est disponible pour la basse
application de profil.
Caractéristique
l technologie transformatrice avancée
l estimation dynamique de dv/dt
l 175°C actionnant l'emperature de T
l jeûnent commutation
l entièrement avalanche évaluée
l facilité de parallélisation
l conditions simples d'entraînement
l sans plomb
Paquet
Transistor sans plomb de transistor MOSFET de la Manche de N, transistor à grande vitesse IRF640NPBF de transistor MOSFET de 200V 18A
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