Transistor de KTD1047 NPN IGBT complémentaire à KTB817 pour l'amplificateur de la puissance 60w élevée

Numéro de type:KTD1047
Point d'origine:Coréen
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Union,PAYPAL ouest
Capacité d'approvisionnement:100000pcs
Délai de livraison:1-3 jours
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Transistor de KTD1047 NPN complémentaire KTB817 pour l'application d'amplificateur de la puissance 60w élevée

CARACTÉRISTIQUE

SYMBOLE

ÉVALUATION

UNITÉ

Tension de collecteur-base

VCBO

160

V

Tension de collecteur-émetteur

VCEO

140

V

Tension d'Émetteur-base

VEBO

6

V

Courant de collecteur

C.C

IC

12

A

Impulsion

ICP

15

Dissipation de puissance de collecteur (Tc=25)

PC

100

W

La température de jonction

Tj

150

 

Température ambiante de température de stockage

Tstg

-55150

 

 

Caractéristiques : 

Complémentaire KTB817.

Recommandé pour l'étape de sortie d'amplificateur de la fréquence 60W sonore.

 

Applications :

APPLICATION D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE ÉLEVÉE.

 

Série régulière de KEC en stock :

 

Actions régulières :

KTC945-P-AT/P

KTC9018S-H-RTK/P

KTA1266-GR-AT/P

KIA78L12F-RTF/P

KTD1047-Y-U/P

KRC103S-RTK/P

KTD1302-AT/P

KTA1837-U/P

KIA7815API-UPF

KTB817-Y-UP

 

 

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Transistor de KTD1047 NPN IGBT complémentaire à KTB817 pour l'amplificateur de la puissance 60w élevée

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