type de paquet du redresseur de diode de silicium de la diode de redresseur 1N5408 3A DO-201AD
Numéro de type:1N5408 DO-201AD
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:1000 pcs
Conditions de paiement:T/T, Paypal, argent liquide
Capacité d'approvisionnement:1 milliard de morceaux de mois
Délai de livraison:2-4 semaines
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Dongguan Guangdong China
Adresse:
Parc de Cyber de Tianan, route de No.1 Huangjin, secteur de Nancheng, ville de Dongguan, province du Guangdong, Chine
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redresseurs de silicium de diode de redresseur de 1N5408 DO-201AD 3A
type de paquet du redresseur de diode de silicium de la diode de redresseur 1N5408 3A DO-201AD
1N5400~1N5408 DO-27 Datasheet.pdf
Caractéristiques :
- Le paquet en plastique porte la classification 94V-0 d'inflammabilité de laboratoire de garants
- Puce de jonction ouverte
- Basse fuite inverse
- Capacité élevée de courant de montée subite en avant
- Soudure hautes températures garantie
- 250 secondes C/10 sur des terminaux
Données mécaniques :
- Cas : JEDEC DO-201AD a moulé le corps en plastique
- Terminaux : Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750, méthode 2026
- Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
- Position de montage : Quels
- Poids : 0,0345 onces, 0.98grams
Estimations maximum et caractéristiques électriques :
Estimations 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
| Paramètre |
SYMBOLES
| 1N5400 | 1N5401 | 1N5402 | 1N5403 | 1N5404 | 1N5405 | 1N5406 | 1N5407 | 1N5408 | UNITÉS | |
| Tension inverse de crête répétitive maximum |
VRRM
| 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 | Volts | |
| Tension maximum de RMS |
VRMS
| 35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 350 | 420 | 560 | 700 | Volts | |
| Tension de blocage maximum de C.C |
Volts continu
| 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 | Volts | |
| Courant en avant moyen maximum de redresseur TL=100°C |
SI (POIDS DU COMMERCE)
| 3 | Ampères | |||||||||
| Courant de montée subite en avant maximal, demi Sinus-vague 8.3msSingle superposée la charge évaluée |
IFSM
| 150 | Ampères | |||||||||
| Tension en avant instantanée maximum 3.0A |
VF
| 1,1 | Volts | |||||||||
| Courant maximum d'inverse de C.C la tension de blocage évaluée de C.C | TA=25°C |
IR
| 10 | μA | ||||||||
| TA=125°C | 500 | |||||||||||
Note : 1.Measured 1MHz et tension inverse appliquée de C.C 4.0V
type de paquet du redresseur de diode de silicium de la diode de redresseur 1N5408 3A DO-201AD
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