Diode de redresseur de bâti de surface de SMD 1N4007 GS1M 1000V pour la carte électronique
Numéro de type:GS1M FONT - 214AC (SMA)
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:5000 pcs
Conditions de paiement:T/T, Paypal, argent liquide
Capacité d'approvisionnement:1 milliard de morceaux de mois
Délai de livraison:2-4 semaines
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Dongguan Guangdong China
Adresse:
Parc de Cyber de Tianan, route de No.1 Huangjin, secteur de Nancheng, ville de Dongguan, province du Guangdong, Chine
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Diode de redresseur extérieure d'usage universel de bti de GS1M 1000V
Diode de redresseur extérieure de bti de SMD 1N4007 GS1M 1000V pour la carte électronique
Caractéristiques :
- Le paquet en plastique porte la classification 94V-0 d'inflammabilité de laboratoire de garants
- Idée pour la carte électronique
- Pour les applications montées extérieures
- Puce passivée en verre de jonction
- Basse fuite inverse
- Capacité élevée de courant de montée subite en avant
- Soudure hautes températures garantie
Données mécaniques :
- Cas : JEDEC DO-214AC a moulé le corps en plastique au-dessus de la puce passivée
- Terminaux : La soudure a plaqué, solderable par MIL-STD-750, la méthode 2026
- Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
- Position de montage : Quels
- Poids : 0,0023 onces, 0,07 grammes
Estimations maximum et caractéristiques électriques :
Estimations 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
| Paramètre |
SYMBOLES
| GS1A | GS1B | GS1D | GS1G | GS1J | GS1K | GS1M | UNITÉS | |
| Tension inverse de crête répétitive maximum |
VRRM
| 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Volts | |
| Tension maximum de RMS |
VRMS
| 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | Volts | |
| Tension de blocage maximum de C.C |
Volts continu
| 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Volts | |
| Courant en avant moyen maximum de redresseur TL=100°C |
SI (POIDS DU COMMERCE)
| 1 | Ampères | |||||||
| Courant de montée subite en avant maximal, demi Sinus-vague 8.3msSingle superposée la charge évaluée |
IFSM
| 30 | Ampères | |||||||
| Tension en avant instantanée maximum 1A |
VF
| 1,1 | Volts | |||||||
| Courant maximum d'inverse de C.C la tension de blocage évaluée de C.C | TA=25°C |
IR
| 5 | μA | ||||||
| TA=125°C | 500 | |||||||||
Note : 1.Measured 1MHz et tension inverse appliquée de C.C 4.0V
Diode de redresseur de bâti de surface de SMD 1N4007 GS1M 1000V pour la carte électronique
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