La diode de redresseur de silicium de SMD 1A 1000V RS1M FONT la diode ultra-rapide de la récupération 214AC
Numéro de type:RS1M FONT - 214AC (SMA)
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:5000 pcs
Conditions de paiement:T/T, Paypal, argent liquide
Capacité d'approvisionnement:1 milliard de morceaux de mois
Délai de livraison:2-4 semaines
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Dongguan Guangdong China
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Parc de Cyber de Tianan, route de No.1 Huangjin, secteur de Nancheng, ville de Dongguan, province du Guangdong, Chine
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La diode de silicium rapide de récupération 1A 1000V RS1M FONT - des redresseurs de 214AC SMD
La diode de redresseur de silicium de SMD 1A 1000V RS1M FONT - diode ultra-rapide de la récupération 214AC
Caractéristiques :
- Le paquet en plastique porte la classification 94V-0 d'inflammabilité de laboratoire de garants
- Idée pour la carte électronique
- Puce passivée en verre de jonction
- Basse fuite inverse
- Capacité élevée de courant de montée subite en avant
- Soudure hautes températures garantie
Données mécaniques :
- Cas : Corps en plastique moulé
- Terminaux : La soudure a plaqué, solderable par MIL-STD-750, la méthode 2026
- Polarité : Symbole de polarité marquant sur le corps
- Position de montage : Quels
- Poids : 0,0023 onces, 0,07 grammes
Estimations maximum et caractéristiques électriques :
Estimations 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
| Paramètre | SYMBOLES | RS1A | RS1B |
RS1D
| RS1G | RS1J | RS1K | RS1M | UNITÉS | |
| Tension inverse de crête répétitive maximum | VRRM | 50 | 100 |
200
| 400 | 600 | 800 | 1000 | Volts | |
| Tension maximum de RMS | VRMS | 35 | 70 |
140
| 280 | 420 | 560 | 700 | Volts | |
| Tension de blocage maximum de C.C | Volts continu | 50 | 100 |
200
| 400 | 600 | 800 | 1000 | Volts | |
| Courant en avant moyen maximum de redresseur TL=100°C | SI (POIDS DU COMMERCE) | 1 | Ampères | |||||||
| Courant de montée subite en avant maximal, demi Sinus-vague 8.3msSingle superposée la charge évaluée | IFSM | 30 | Ampères | |||||||
| Tension en avant instantanée maximum 1A | VF | 1,3 | Volts | |||||||
| Courant maximum d'inverse de C.C la tension de blocage évaluée de C.C | TA=25°C | IR |
5
| μA | ||||||
| TA=125°C |
500
| |||||||||
| Temps de rétablissement inverse maximum | Trr |
150
| 250 | 500 | NS | |||||
| Capacité de jonction typique | CJ |
10
| PF | |||||||
Note : état de la récupération 1.Reverse SI =0.5A, IR =1.0A,
Irr=0.25A
2.Measured 1MHz et tension inverse appliquée de C.C 4.0V
La diode de redresseur de silicium de SMD 1A 1000V RS1M FONT la diode ultra-rapide de la récupération 214AC
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