BAS16WS SOD323 jeûnent diode de commutation planaire épitaxiale de silicium de diode de commutation

Numéro de type:BAS16WS SOD-323
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:3000
Conditions de paiement:T/T, Paypal, argent liquide
Délai de livraison:2-4 semaines
Détails d'emballage:3000pcs/reel
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Dongguan Guangdong China
Adresse: Parc de Cyber de Tianan, route de No.1 Huangjin, secteur de Nancheng, ville de Dongguan, province du Guangdong, Chine
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Diode de changement rapide planaire épitaxiale de silicium de BAS16WS SOD-323
 
Diode de commutation planaire épitaxiale rapide de silicium de diode de commutation de BAS16WS SOD323
 
 
 
 
Caractéristiques de spécifications :

 

 

  • Diode de changement rapide
  •  
  • Code de repérage : T4
  •  

 

 

Capacités absolues et caractéristiques (Ta=25℃ sauf indication contraire)

 

 

 

ParamètreSymboleValeur

 

Unités

 

Tension inverse maximaleVRM100

 

V

 

Tension inverseVR75

 

V

 

Currenet continu en avantIFM250

 

mA

 

Courant de montée subite en avant maximal non répétitif t=1usIFSM2

 


 

Dissipation de puissancePalladium200

 

mW

 

La température de jonctionTJ150

 

 

 

 

 

Nous offrons toutes sortes de composants électroniques :
 

 

Diodes

 

Diode de redresseur de but, diode de barrière de Schottky, diode de TV, diode rapide de récupération, diode de commutation, diode Zener…

 

Transistors

 


Ponts redresseurs

 

Transistor MOSFET

 

 

1. Nous pouvons embarquant partout dans le monde par la mer, par avion DHL, UPS, Fedex, ePacket de SME selon les besoins des clients.
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BAS16WS SOD323 jeûnent diode de commutation planaire épitaxiale de silicium de diode de commutation

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