Planaire épitaxial de commutation de bâti de surface de SMD de silicium à haute tension de diode

Numéro de type:BAV19WS SOD-323
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:3000
Conditions de paiement:T/T, Paypal, argent liquide
Délai de livraison:2-4 semaines
Détails d'emballage:bobine 3000pcs/en général
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Fournisseur Vérifié
Dongguan Guangdong China
Adresse: Parc de Cyber de Tianan, route de No.1 Huangjin, secteur de Nancheng, ville de Dongguan, province du Guangdong, Chine
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Diode de commutation haute tension de diodes planaires épitaxiales de silicium

 

Planaire épitaxial de bti de SMD de commutation de silicium haute tension extérieur de diode

Diode de commutation rapide de BAV19WS/BAV20WS/BAV21WS

 
 
 
 
 
Caractéristiques de spécifications :

 

 

  • Vitesse de changement rapide
  • Paquet extérieur de bti idéalement adapté l'insertion automatique
  • Pour des applications de changement d'usage universel
  •  

 

 

 

 

Capacités absolues et caractéristiques (Ta=25℃ sauf indication contraire)

 

 

 

ParamètreSymboleValeur

 

Unités

 

Tension inverse maximale répétitiveVRRM120

 

V

 

Tension inverseVR100

 

V

 

Currenet continu en avantIFM400

 

mA

 

Courant de montée subite en avant maximal non répétitif t=1usIFSM2,5
Dissipation de puissancePalladium200

 

mW

 

 

 

 

 

 

 

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Planaire épitaxial de commutation de bâti de surface de SMD de silicium à haute tension de diode

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