Transistor MMBT3906 SOT-23 de bâti de surface du transistor PNP du silicium SMD

Numéro de type:MMBT3906 SOT-23
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:3000pcs
Conditions de paiement:T/T, Paypal, argent liquide
Délai de livraison:2-4 semaines
Capacité d'approvisionnement:1 milliard de morceaux de mois
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Fournisseur Vérifié
Dongguan Guangdong China
Adresse: Parc de Cyber de Tianan, route de No.1 Huangjin, secteur de Nancheng, ville de Dongguan, province du Guangdong, Chine
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Transistor MMBT3906 SOT-23 de bti de surface du transistor PNP du silicium SMD
Transistor extérieur de bti de MMBT3906 SOT-23 PNP
 
 
 
 
CARACTÉRISTIQUES
 
  • Type complémentaire le transistor de NPN
  • MMBT3904 est recommandé
  • Planaires épitaxiaux meurent construction
  • INSCRIPTION : 2A
 
 
 
ESTIMATIONS MAXIMUM (TA=25℃ sauf indication contraire)
 
 

 

ParamètreSymboleValeur

 

Unités

 

Tension de collecteur-baseVCBO-40

 

V

 

Tension de collecteur-émetteurVCEO-40

 

V

 

Tension d'Émetteur-baseVEBO-5

 

V

 

Courant de collecteur - continuIC

-200

 

mA

 

Dissipation de collecteurPC200

 

mW

 

La température de jonctionTj150

 

 

 

 

 

 

Nous offrons toutes sortes de composants électroniques :
 

 

Diodes

 

Diode de redresseur de but, diode de barrière de Schottky, diode de TV, diode rapide de récupération, diode de commutation, diode Zener…

 

Transistors


Ponts redresseurs

 

Transistor MOSFET

 

 

 

Plus d'informaions, pls nous contactent pour obtenir des fiches techniques.

 

 

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