Transistor planaire épitaxial de silicium du transistor PNP de 0h5 du matin de S8550 SOT-89
Numéro de type:S8550 SOT-89
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:3000pcs
Conditions de paiement:T/T, Paypal, argent liquide
Délai de livraison:2-4 semaines
Capacité d'approvisionnement:1 milliard de morceaux de mois
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Fournisseur Vérifié
Dongguan Guangdong China
Adresse:
Parc de Cyber de Tianan, route de No.1 Huangjin, secteur de Nancheng, ville de Dongguan, province du Guangdong, Chine
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Transistor planaire épitaxial de silicium de S8550 SOT-89 0.5A PNP
Transistor planaire épitaxial de silicium du transistor PNP de 0H5
DU MATIN de S8550 SOT-89
CARACTÉRISTIQUES
- Pour des applications de commutation et d'amplificateur.
- Particulièrement approprié aux étapes d'AF-conducteur et aux basses étapes de puissance de sortie.
ESTIMATIONS MAXIMUM (TA=25℃ sauf indication contraire)
| Paramètre |
Symbole
| Valeur | Unités |
| Tension de collecteur-base |
VCBO
| -40 | V |
| Tension de collecteur-émetteur |
VCEO
| -25 | V |
| Tension d'Émetteur-base |
VEBO
| 6 | V |
| Courant de collecteur - continu |
IC
| -1,5 | |
| Dissipation de collecteur |
PC
| 625 | mW |
| La température de jonction |
Tj
| 150 | ℃ |
Transistor planaire épitaxial de silicium du transistor PNP de 0h5 du matin de S8550 SOT-89
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