diode de redresseur planaire épitaxiale de silicium de 30V 200mA B520S-30

Numéro de type:RB520S-30 SOD-523
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:3000 pcs
Conditions de paiement:T/T, Paypal, argent liquide
Capacité d'approvisionnement:1 milliard de morceaux de mois
Délai de livraison:2-4 semaines
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Dongguan Guangdong China
Adresse: Parc de Cyber de Tianan, route de No.1 Huangjin, secteur de Nancheng, ville de Dongguan, province du Guangdong, Chine
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Diode de barrière planaire épitaxiale de Schottky de silicium RB520S-30

 

Ces diodes de barrière de Schottky sont conçues pour des applications, la protection de circuit, et le fixage de changement high−speed de tension. Extrêmement - la basse tension en avant réduit la perte de conduction. Le paquet extérieur miniature de bti est excellent pour le hand−held et les applications portatives où l'espace est limité.

 

Pour la rectification faible intensité et les applications de changement grande vitesse.

 

RB520S-30 SOD523 Datasheet.pdf

 

 

Caractéristiques :
 

 

  • Vitesse de changement extrêmement rapide
  • Type extrêmement petit de montage extérieur
  • Fiabilité élevée
  • Bas courant inverse
  • Code de repérage : « B »
 

 

 

Estimations maximum et caractéristiques électriques :

 

 

Estimations la température ambiante 25°C sauf indication contraire.

 

 

 

Paramètre

 

 

Symbole

 

Valeur

 

Unités

 

Tension inverse

 

 

VR

 

30

 

V

 

Courant de rectification moyen

 

SI (POIDS DU COMMERCE)

 

 

200

 

mA

 

Courant de montée subite en avant maximal

 

IFSM

 

 

1

 


 

La température de jonction

 

TJ

 

 

125

 

 

Tension en avant SI = 200 mA

 

VF

 

 

0,6

 

V

 

          

 

Note : La manutention des produits sensible d'ESD a exigé.

 

 

 

 

China diode de redresseur planaire épitaxiale de silicium de 30V 200mA B520S-30 supplier

diode de redresseur planaire épitaxiale de silicium de 30V 200mA B520S-30

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