MPS6560 semi-conducteurs discrets bipolaires 625mW des transistors BJT
Number modèle:MPS6560
Point d'origine:Original
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MPS6560 original discret bipolaire de semi-conducteurs des transistors BJT
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
| Catégorie de produit : | Transistors bipolaires - BJT |
| Polarité de transistor : | NPN |
| Configuration : | Simple |
| Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum : | 25 V |
| Tension de collecteur-base VCBO : | 25 V |
| Tension basse VEBO d'émetteur : | 5 V |
| Courant de collecteur maximum de C.C : | 0,5 A |
| Palladium - dissipation de puissance : | 625 mW |
| Produit pi de largeur de bande de gain : | 60 mégahertz |
| Température de fonctionnement minimum : | - 55 C |
| Température de fonctionnement maximum : | + 150 C |
| Collecteur de C.C/minute de référence de hFE de gain : | 35 10 mA, 1 V |
| Type de produit : | BJTs - transistors bipolaires |
| Sous-catégorie : | Transistors |
| Technologie : | SI |
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