Transistors bipolaires 18.8dB des transistors rf d'ASI MRF9045LR1
Number modèle:MRF9045LR1
Point d'origine:Original
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:L/C, Western Union, palpay
Capacité d'approvisionnement:1000PCS/Months
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Shenzhen China
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5C,Building D,GALAXY WORLD.Longhua District, Shenzhen.CN
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Original bipolaire des transistors SI de MRF9045LR1TRANSISTORS rf en stock
L'ASI MRF9045LR1 est une haute tension, or-métallisée,
semiconducteur métal oxyde latéralement diffus. Idéal pour d'aujourd'hui
Applications d'amplificateur de puissance de rf.
| Transistors de transistor MOSFET de rf | |
| RoHS : | Détails |
| N-canal | |
| SI | |
| 4,25 A | |
| 65 V | |
| 945 mégahertz | |
| DB 18,8 | |
| 60 W | |
| SMD/SMT | |
| NI-360 | |
| Plateau | |
| Configuration : | Simple |
| Transconductance en avant - minute : | 3 S |
| Palladium - dissipation de puissance : | 117 W |
| Type de produit : | Transistors de transistor MOSFET de rf |
| Sous-catégorie : | Transistors MOSFET |
| Type : | Transistor MOSFET de puissance de rf |
| Vgs - tension de Porte-source : | 15 V |
| Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source : | 4,8 V |
| Poids spécifique : | 0,032480 onces |
Deux typiques•
−
Tone Performance 945 mégahertz, 28 volts
De puissance de sortie — 45 watts de PEP
Gain en puissance — DB 18,8
Efficacité — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Protection intégrée d'ESD
•
Conçu pour la planéité maximum de phase de gain et d'insertion
•
Capable de manipuler le 10:1 VSWR, @ 28 volts continu, 945
mégahertz, 45 watts d'onde entretenue
De puissance de sortie
•
Excellente stabilité thermique
•
Caractérisé avec l'équivalent de série grand
−
Paramètres d'impédance de signal
•
Dans la bande et la bobine. Suffixe R1 = 500 unités par 32
millimètres, bobine de 13 pouces.
•
Basse épaisseur de placage l'or sur des avances. L suffixe indique
40
′ de ′ de μ
Nomin
•
Deux typiques
−
Tone Performance 945 mégahertz, 28 volts
De puissance de sortie — 45 watts de PEP
Gain en puissance — DB 18,8
Efficacité — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Protection intégrée d'ESD
•
Conçu pour la planéité maximum de phase de gain et d'insertion
•
Capable de manipuler le 10:1 VSWR, @ 28 volts continu, 945
mégahertz, 45 watts d'onde entretenue
De puissance de sortie
•
Excellente stabilité thermique
•
Caractérisé avec l'équivalent de série grand
−
Paramètres d'impédance de signal
•
Dans la bande et la bobine. Suffixe R1 = 500 unités par 32
millimètres, bobine de 13 pouces.
•
Basse épaisseur de placage l'or sur des avances. L suffixe indique
40
′ de ′ de μ
Nomin
•
Deux typiques
−
Tone Performance 945 mégahertz, 28 volts
De puissance de sortie — 45 watts de PEP
Gain en puissance — DB 18,8
Efficacité — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Protection intégrée d'ESD
•
Conçu pour la planéité maximum de phase de gain et d'insertion
•
Capable de manipuler le 10:1 VSWR, @ 28 volts continu, 945
mégahertz, 45 watts d'onde entretenue
De puissance de sortie
•
Excellente stabilité thermique
•
Caractérisé avec l'équivalent de série grand
−
Paramètres d'impédance de signal
•
Dans la bande et la bobine. Suffixe R1 = 500 unités par 32
millimètres, bobine de 13 pouces.
•
Basse épaisseur de placage l'or sur des avances. L suffixe indique
40
′ de ′ de μ
Nomin
•
Deux typiques
−
Tone Performance 945 mégahertz, 28 volts
De puissance de sortie — 45 watts de PEP
Gain en puissance — DB 18,8
Efficacité — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Protection intégrée d'ESD
•
Conçu pour la planéité maximum de phase de gain et d'insertion
•
Capable de manipuler le 10:1 VSWR, @ 28 volts continu, 945
mégahertz, 45 watts d'onde entretenue
De puissance de sortie
•
Excellente stabilité thermique
•
Caractérisé avec l'équivalent de série grand
−
Paramètres d'impédance de signal
•
Dans la bande et la bobine. Suffixe R1 = 500 unités par 32
millimètres, bobine de 13 pouces.
•
Basse épaisseur de placage l'or sur des avances. L suffixe indique
40
′ de ′ de μ
Nomin
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
5
−
1
Données de dispositif RF
Semi-conducteur de Freescale
Transistors effet de champ de puissance de rf
N
−
Amélioration de la Manche
−
Transistors MOSFET latéraux de mode
Conçu
pour des applications commerciales et industrielles bande large
avec le frequen-
cies jusqu' 1000 mégahertz. Haut GA
dans et représentation bande large de ces derniers
les dispositifs les rendent idéaux pour grand
−
signal, commun
−
applica- d'amplificateur de source
tions dans l'équipement de station de base de 28 volts.
•
Deux typiques
−
Tone Performance 945 mégahertz, 28 volts
De puissance de sortie — 45 watts de PEP
Gain en puissance — DB 18,8
Efficacité — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Protection intégrée d'ESD
•
Conçu pour la planéité maximum de phase de gain et d'insertion
•
Capable de manipuler le 10:1 VSWR, @ 28 volts continu, 945
mégahertz, 45 watts d'onde entretenue
De puissance de sortie
•
Excellente stabilité thermique
•
Caractérisé avec l'équivalent de série grand
−
Paramètres d'impédance de signal
•
Dans la bande et la bobine. Suffixe R1 = 500 unités par 32
millimètres, bobine de 13 pouces.
•
Basse épaisseur de placage l'or sur des avances. L suffixe indique
40
′ de ′ de μ
Non
Transistors bipolaires 18.8dB des transistors rf d'ASI MRF9045LR1
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