Transistor bipolaire de JAN2N2907A PNP

Number modèle:JAN2N2907A
Point d'origine:Original
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, PayPay
Capacité d'approvisionnement:1000PCS/Months
Délai de livraison:2 ou 3 jours ouvrables
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Adresse: 5C,Building D,GALAXY WORLD.Longhua District, Shenzhen.CN
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Transistors bipolaires PNP de JAN2N2907A BJTs simples par l'original de trou

 

 

Attribut de produitValeur d'attribut
Catégorie de produit :Transistors bipolaires - BJT
RoHS :N
Montage du style :Par le trou
Paquet/cas :TO-18-3
Polarité de transistor :PNP
Configuration :Simple
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum :- 60 V
Tension de collecteur-base VCBO :- 60 V
Tension basse VEBO d'émetteur :- 5 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur :- 400 système mv
Courant de collecteur maximum de C.C :- 600 mA
Palladium - dissipation de puissance :500 mW
Température de fonctionnement minimum :- 65 C
Température de fonctionnement maximum :+ 200 C
Emballage :Le volume
Type de produit :BJTs - transistors bipolaires
Quantité de paquet d'usine :1
Sous-catégorie :Transistors
Technologie :SI
Poids spécifique :2,338 g

 

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