Transistor bipolaire de JAN2N2907A PNP
Number modèle:JAN2N2907A
Point d'origine:Original
Quantité d'ordre minimum:10pcs
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Capacité d'approvisionnement:1000PCS/Months
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5C, D de construction, secteur de la GALAXIE WORLD.Longhua, Shenzhen.CN
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Détails du produit
Transistors bipolaires PNP de JAN2N2907A BJTs simples par l'original de trou
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
| Catégorie de produit : | Transistors bipolaires - BJT |
| RoHS : | N |
| Montage du style : | Par le trou |
| Paquet/cas : | TO-18-3 |
| Polarité de transistor : | PNP |
| Configuration : | Simple |
| Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum : | - 60 V |
| Tension de collecteur-base VCBO : | - 60 V |
| Tension basse VEBO d'émetteur : | - 5 V |
| Tension de saturation de collecteur-émetteur : | - 400 système mv |
| Courant de collecteur maximum de C.C : | - 600 mA |
| Palladium - dissipation de puissance : | 500 mW |
| Température de fonctionnement minimum : | - 65 C |
| Température de fonctionnement maximum : | + 200 C |
| Emballage : | Le volume |
| Type de produit : | BJTs - transistors bipolaires |
| Quantité de paquet d'usine : | 1 |
| Sous-catégorie : | Transistors |
| Technologie : | SI |
| Poids spécifique : | 2,338 g |
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Transistor bipolaire de JAN2N2907A PNP
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