Transistors de transistor MOSFET d'IRFR1018EPBF
Number modèle:IRFR1018EPBF
Point d'origine:Original
Quantité d'ordre minimum:10pcs
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Capacité d'approvisionnement:1000PCS/Months
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Shenzhen China
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5C,Building D,GALAXY WORLD.Longhua District, Shenzhen.CN
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Détails du produit
Transistors SI TO-252-3 de transistor MOSFET d'IRFR1018EPBF originaux en stock
Applications
Rectification synchrone de rendement élevé dans SMPS
Alimentation d'énergie non interruptible
Commutation grande vitesse de puissance
Circuits dur commutés et haute fréquence
Avantages
Porte améliorée, avalanche et rugosité dynamique de dv/dt
Capacité entièrement caractérisée et avalanche SOA
Diode augmentée dV/dt de corps et capacité de dI/dt
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
| Catégorie de produit : | Transistor MOSFET |
| Technologie : | SI |
| Montage du style : | SMD/SMT |
| Paquet/cas : | TO-252-3 |
| Polarité de transistor : | N-canal |
| Nombre de canaux : | La 1 Manche |
| Vds - tension claque de Drain-source : | 60 V |
| Identification - courant continu de drain : | 79 A |
| Le RDS sur - la résistance de Drain-source : | 7,1 mOhms |
| Vgs - tension de Porte-source : | - 20 V, + 20 V |
| Qg - charge de porte : | 46 OR |
| Palladium - dissipation de puissance : | 110 W |
| Emballage : | Tube |
| Configuration : | Simple |
| Taille : | 2,3 millimètres |
| Longueur : | 6,5 millimètres |
| Type de produit : | Transistor MOSFET |
| Quantité de paquet d'usine : | 3000 |
| Sous-catégorie : | Transistors MOSFET |
| Type de transistor : | 1 N-canal |
| Largeur : | 6,22 millimètres |
| Partie # noms d'emprunt : | SP001567496 |
| Poids spécifique : | mg 330 |
Q : Pouvez-vous accepter la commande ?
: Oui, la commande est disponible. Entrez en contact svp avec nous.
Q : Fournissez-vous des échantillons, est-il librement ou
supplémentaire ?
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basé sur la quantité.
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