Drachme 8 Gbit 512Mx16 d'IC de mémoire instantanée de MT40A512M16HA-083E

MT40A512M16HA-083E : Une DRACHME SDRAM - plateau de la mémoire IC de DDR4 SMD/SMT

• VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV

• VPP = 2.5V, – 125mV, +250mV

• Sur-matrice, génération interne et réglable de VREFDQ

• pseudo entrée-sortie du l'ouvert-drain 1.2V

• Régénérez la période du cycle 8192 la température ambiante de comité technique : – 64ms -40°C 85°C – 32ms >85°C 95°C – 16ms >95°C 105°C

• 16 banques internes (x4, x8) : 4 groupes de 4 banques chacun

• 8 banques internes (x16) : 2 groupes de 4 banques chacun

• architecture du prefetch 8n-bit

• Préambules programmables de stroboscope de données

• Formation de préambule de stroboscope de données

• Latence de commande/adresse (calories)

• LECTURE universelle de registre et ÉCRIRE la capacité

• Mise niveau Write • L'individu régénèrent le mode

• L'individu automatique de basse puissance régénèrent (LPASR)

• température contrôlée régénérez (TCR)

• La granularité fine régénèrent

• L'individu régénèrent l'arrêt

• Économie de puissance maximum

• Calibrage de conducteur de sortie

• Nominal, parc, et arrêt dynamique de sur-matrice (ODT)

• Inversion de bus de données (DBI) pour le bus de données

• Commande/parité d'adresse (CA)

• Databus écrivent le contrôle par redondance cyclique (le centre de détection et de contrôle)

• Possibilité d'adressage de Par-DRACHME

• Essai de connectivité

• JEDEC JESD-79-4 conforme

• capacité de sPPR et de hPPR

Fondé en 2004, Walton Electronics Cie., Ltd est un distributeur indépendant mesuré et professionnel des composants électroniques Shenzhen, Chine. Commis aux marques principales mondiales des services d'intégration de distribution de composants électroniques, principalement occupées dans les composants actifs, puces de circuit intégré.

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