TI de SMD des véhicules à moteur Chip Capacitor TPS23755RJJT 55 120 au ℃ EAR99 ECCN

Number modèle:TPS23755RJJT
Point d'origine:N/S
Quantité d'ordre minimum:1pcs
Conditions de paiement:T/T
Capacité d'approvisionnement:9999999+PCS
Délai de livraison:2-7 jours de travail
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Détails du produit

SMD Chip Capacitor Texas Instruments /TI TPS23755RJJT

Module d'ECADSymbole, empreinte de pas et modèle 3D de carte PCB
Statut de l'offre et la demandeÉquilibre
PopularitéHaut
Fausse menace sur le marché libre82 PCT.
Quantité par paquet250
HTSUS8542.39.0001
ECCNEAR99
Statut de PORTÉEATTEIGNEZ inchangé
Niveau de MSL2 (1 an)
Cas/paquet24-VSON (6x4)
Paquet24-VFDFN a exposé la protection, 23 avances
SupportBti extérieur
Chaîne de température de fonctionnement-40°C | 125°C (TJ)
PaquetBobine - TR
FabricantTexas Instruments
CaractéristiquesPuissance au-dessus de contrôleur Channel 802.3at (PoE) 24-VSON (6x4) d'Ethernet
Délai d'exécution prévu de Pruduction25 semaines
CatégoriesCircuits intégrés (IC)
Nom de familleTPS23755
L'autre numéro de la pièce296-TPS23755RJJTCT, 296-TPS23755RJJTDKR, 296-TPS23755RJJTTR

Caractéristiques pour le TPS23755

  • Solution complète de palladium d'IEEE 802.3at pour le type 1 PoE
    • Le logo d'Alliance d'Ethernet (ea) a certifié des conceptions disponibles
    • 100-V robuste, transistor MOSFET du hotswap 0.36-Ω (type)
    • Niveau programmable de classification
  • Contrôleur intégré de PWM avec 150-V le transistor MOSFET de la puissance 0.77-Ω (type)
    • Contrôleur de retour rapide avec le PSR
      • Soutient l'opération CCM avec le redresseur de diode latéral secondaire
      • règlement de charge de ±3% (le type, 12-V a produit) (gamme 5%-100%)
    • Soutient la topologie du côté bas de mle de commutateur
    • Fréquence de changement réglable avec la synchronisation
    • démarrage avancé
    • Taux et fréquence de groupe programmable hésitant pour la réduction augmentée d'IEM
  • Contrôle latéral secondaire prioritaire d'adaptateur avec la transition douce
  • – 40°C la température ambiante de la jonction 125°C
  • Petits 6 millimètres X 4 paquet du millimètre VSON

Description pour le TPS23755

Le dispositif TPS23755 combine une puissance au-dessus d'interface du dispositif actionné de l'Ethernet (PoE) (palladium), un FET de changement de la puissance 150-V, et un contrôleur du l'actuel-mode DC-DC a optimisé pour la topologie de retour rapide. Le haut niveau de l'intégration avec le règlement latéral primaire (PSR), la fréquence de spectre étalé hésitant (SSFD), et le démarrage avancé fait au TPS23755 une solution idéale pour des applications taille-contraintes. L'exécution de PoE soutient la norme d'IEEE 802.3at comme 13-W, palladium de type 1.

La caractéristique de PSR du contrôleur de DC-DC emploie le retour d'un enroulement auxiliaire pour le contrôle de la tension de sortie, éliminant le besoin de régulateur externe et de coupleur optique de shunt. Elle est optimisée pour l'opération avec le redresseur de diode latéral secondaire (typiquement sortie 12-V ou plus haut). Typiquement, le convertisseur fonctionne en mode continu de conduction (CCM) une fréquence de changement de 250 kilohertz.

SFFD et contrôle de taux de groupe aide réduire au minimum la taille et le coût du filtre d'IEM. Le démarrage avancé permet l'utilisation du condensateur polarisé minimal tout en simplifiant la conception de démarrage et de hoquet de convertisseur.

La puissance auxiliare secondaire détectent la capacité fournit la priorité pour un adaptateur latéral secondaire de puissance, tout en assurant la transition douce et de la puissance d'entrée de PoE, sans l'efficacité ou le compromis thermique.

Le contrôleur de DC-DC comporte le doux-commencement, la compensation de pente, et masquer internes. Pour des applications non isolées, la topologie de mle est également soutenue par le TPS23755.

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