EMI Filter IC Infineon Technologies IRFZ24NPBF pour les matériels électroniques
Number modèle:IRFZ24NPBF
Point d'origine:N/S
Quantité d'ordre minimum:1pcs
Conditions de paiement:T/T
Capacité d'approvisionnement:9999999+PCS
Délai de livraison:2-7 jours de travail
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Shenzhen China
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7F, Building F, Longjing Science park, 335 Bulong Road, Ma Antang Community, Bantian Street, Longgang District, Shenzhen, China
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Détails du produit
EMI Filter IC Infineon Technologies IRFZ24NPBF
| Module d'ECAD | Symbole, empreinte de pas et modèle 3D de carte PCB |
| Statut de l'offre et la demande | Suffisamment |
| ECCN | EAR99 |
| Pays d'origine | La Chine |
| Halogène libre | Conforme |
| EOL Date prévu | 2027 |
| Pièces alternatives (Correspondance) | BUK7575-55A, 127 ; HUFA75309P3 ; HUFA75309P3-NL ; BUK101-50GS ; |
| Fausse menace sur le marché libre | 71 PCT. |
| Popularité | Haut |
| Est-ce que c'est une partie commun-utilisée ? | Oui |
| Dimension | TO-220-3 |
| Cas/paquet | TO-220AB |
| Support | Par le trou |
| Température ambiante - fonctionnant | -55°C 175°C (TJ) |
| Le RDS maximum dessus l'identification, Vgs | 70 mOhm @ 10A, 10V |
| Tension maximum de Porte-source | ±20V |
| Date d'introduction | 10-Feb-04 |
| Max Gate Charge | 20nC @ 10V |
| Tension de seuil de Porte-source | 4V @ 250μA |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Nom de famille | IRFZ24N |
| Tension claque de Drain-source | 55V |
| Technologie | Transistor MOSFET |
| Polarité | N-canal |
| Statut | Actif |
| Emballage | Tube/rail |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Catégories | Produits semiconducteurs discrets |
| Dissipation de puissance (maximum) | 45W (comité technique) |
| Courant continu de drain 25°C | 17A (comité technique) |
| Max Input Capacitance | 370pF @ 25V |
EMI Filter IC Infineon Technologies IRFZ24NPBF pour les matériels électroniques
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