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UE RoHS | Conforme |
ECCN (US) | EAR99 |
Statut de partie | Actif |
SVHC | Oui |
Des véhicules moteur | Non |
PPAP | Non |
Catégorie de produit | Transistor MOSFET de puissance |
Configuration | Double |
Technologie transformatrice | NexFET |
Mode de la Manche | Amélioration |
Type de la Manche | P |
Nombre d'éléments par puce | 2 |
Tension de source de porte maximum (v) | -6 |
Tension maximum de seuil de porte (v) | 1,1 |
Drain continu maximum (a) actuel | 3,9 |
Courant maximum de fuite de source de porte (Na) | 100 |
IDSS maximum (uA) | 1 |
Résistance maximum de source de drain (MOhm) | 54@4.5V |
Charge typique @ Vgs (OR) de porte | 2,9 |
Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée | 458 |
Dissipation de puissance maximum (mW) | 700 |
Temps typique d'automne (NS) | 16 |
Temps de montée typique (NS) | 8,6 |
Temps de retard d'arrêt typique (NS) | 32,1 |
Temps de retard d'ouverture typique (NS) | 12,8 |
Température de fonctionnement minimum (°C) | -55 |
Température de fonctionnement maximum (°C) | 150 |
Emballage | Bande et bobine |
Paquet de fournisseur | DSBGA |
Pin Count | 9 |
Nom de forfait standard | BGA |
Support | Bti extérieur |
Taille de paquet | 0,28 (maximum) |
Longueur de paquet | 1,5 |
Largeur de paquet | 1,5 |
La carte PCB a changé | 9 |
Forme d'avance | Boule |