Transistor MOSFET de la puissance IPB200N25N3 élevée, Pin D2PAK T/R du transistor MOSFET 250V 64A 3 de N ch
Number modèle:IPB200N25N3
Point d'origine:LA CHINE
Nombre plus probable:IPB200N25N3
MFR:Infineon
Catégorie:MOSFET
Taille:4.57*10.31*9.45mm
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Détails du produit
Transistor MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R de transport d'IPB200N25N3 Infineon
Spécifications techniques de produit
| UE RoHS | Conforme avec l'exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Statut de partie | Actif |
| SVHC | Oui |
| SVHC dépasse le seuil | Oui |
| Des véhicules moteur | Non |
| PPAP | Non |
| Catégorie de produit | Transistor MOSFET de puissance |
| Configuration | Simple |
| Technologie transformatrice | OptiMOS 3 |
| Mode de la Manche | Amélioration |
| Type de la Manche | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension maximum de source de drain (v) | 250 |
| Tension de source de porte maximum (v) | ±20 |
| Drain continu maximum (a) actuel | 64 |
| Résistance maximum de source de drain (MOhm) | 20@10V |
| Charge typique @ Vgs (OR) de porte | 64@10V |
| Charge typique @ 10V (OR) de porte | 64 |
| Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée | 5340@100V |
| Dissipation de puissance maximum (mW) | 300000 |
| Temps typique d'automne (NS) | 12 |
| Temps de montée typique (NS) | 20 |
| Temps de retard d'arrêt typique (NS) | 45 |
| Temps de retard d'ouverture typique (NS) | 18 |
| Température de fonctionnement minimum (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximum (°C) | 175 |
| Emballage | Bande et bobine |
| Pin Count | 3 |
| Nom de forfait standard | TO-263 |
| Paquet de fournisseur | D2PAK |
| Support | Bti extérieur |
| Taille de paquet | 4,57 (maximum) |
| Longueur de paquet | 10,31 (maximum) |
| Largeur de paquet | 9,45 (maximum) |
| La carte PCB a changé | 2 |
| Étiquette | Étiquette |
Transistor MOSFET de la puissance IPB200N25N3 élevée, Pin D2PAK T/R du transistor MOSFET 250V 64A 3 de N ch
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