Pin SOT-23 T/R du transport N ch 50V 0.2A 3 de transistor MOSFET de BSS138LT1G Onsemi

Number modèle:BSS138LT1G
Point d'origine:LA CHINE
Quantité d'ordre minimum:Quantité de paquet
Détails de empaquetage:bande et bobine
Délai de livraison:2 semaines
Conditions de paiement:T/T
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Shenzhen China
Adresse: Internatinal Logistics Center A-702, No. 1 South China Road, ShenZhen, China
dernière connexion fois fournisseur: dans 2 heures
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Détails du produit

Transistor MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R de transport de BSS138LT1G ONsemi

SUR LE transistor MOSFET de semi-conducteur est un transistor de transistor MOSFET de canal de N qui fonctionne en mode d'amélioration. Sa dissipation de puissance maximum est 225 mW. La tension maximum de source de drain du produit est 50 V et la tension de source de porte est ±20 V. Ce transistor MOSFET a une gamme de température de fonctionnement de -55°C 150°C.

Caractéristiques et avantages :
• Basse tension de seuil (VGS (Th) : 0,85 V-1.5 V) le rendent idéal pour des applications de basse tension
• Le paquet extérieur miniature du bti SOT-23 ménage de l'espace de conseil
• Préfixe de BVSS pour applications des véhicules moteur et autres exigeant des conditions uniques de rupture de site et de contrôle ; AEC-Q101 a qualifié et PPAP capable
• Ces dispositifs sont sans Pb, l'halogène Free/BFR libres et sont RoHS conforme

Application :
• Convertisseurs de DC-DC
• Gestion de puissance dans les produits portatifs et piles tels que des ordinateurs
• Imprimantes
• Cartes de PCMCIA
• Téléphones cellulaires et sans fil.

Spécifications techniques de produit

UE RoHSConforme
ECCN (US)EAR99
Statut de partieActif
HTS8541.21.00.95
Des véhicules moteurNon
PPAPNon
Catégorie de produitTransistor MOSFET de puissance
ConfigurationSimple
Mode de la MancheAmélioration
Type de la MancheN
Nombre d'éléments par puce1
Tension maximum de source de drain (v)50
Tension de source de porte maximum (v)±20
Tension maximum de seuil de porte (v)1,5
La température de jonction fonctionnante (°C)-55 150
Drain continu maximum (a) actuel0,2
Courant maximum de fuite de source de porte (Na)100
IDSS maximum (uA)0,5
Résistance maximum de source de drain (MOhm)3500@5V
Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée40@25V
Capacité inverse typique @ Vds (PF) de transfert3,5
Tension minimum de seuil de porte (v)0,85
Capacité de sortie typique (PF)12
Dissipation de puissance maximum (mW)225
Temps de retard d'arrêt typique (NS)20 (maximum)
Temps de retard d'ouverture typique (NS)20 (maximum)
Température de fonctionnement minimum (°C)-55
Température de fonctionnement maximum (°C)150
EmballageBande et bobine
Tension de source de porte positive maximum (v)20
Maximum pulsés vidangent le courant @ TC=25°C (a)0,8
Tension typique de plateau de porte (v)1,9
Pin Count3
Nom de forfait standardIVROGNE
Paquet de fournisseurSOT-23
SupportBti extérieur
Taille de paquet0,94
Longueur de paquet2,9
Largeur de paquet1,3
La carte PCB a changé3
Forme d'avanceMouette-aile
Amplifiez les signaux électroniques et commutez entre eux l'aide de SUR LE transistor MOSFET de puissance du BSS138LT1G du semi-conducteur. Sa dissipation de puissance maximum est 225 mW. Afin d'assurer la livraison sûre et permettre le support rapide de ce composant après la livraison, elle sera emballée dans l'emballage de bande et de bobine pendant l'expédition. Ce transistor de transistor MOSFET a une gamme de température de fonctionnement du °C -55 150 °C. Ce dispositif utilise la technologie de tmos. Ce transistor de transistor MOSFET de canal de N fonctionne en mode d'amélioration.
Mots clés du produit:
China Pin SOT-23 T/R du transport N ch 50V 0.2A 3 de transistor MOSFET de BSS138LT1G Onsemi supplier

Pin SOT-23 T/R du transport N ch 50V 0.2A 3 de transistor MOSFET de BSS138LT1G Onsemi

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