FET SOT23 TO-236AB D monté par surface de transistor à effet de champ de NX7002AK NEXPERIA

Number modèle:NX7002AK

Point d'origine:LA CHINE

Quantité d'ordre minimum:Quantité de paquet

Détails de empaquetage:bande et bobine

Délai de livraison:2 semaines

Conditions de paiement:T/T

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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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Shenzhen China

Adresse: Internatinal Logistics Center A-702, No. 1 South China Road, ShenZhen, China

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Détails du produit

Le transistor d'effet de champ de mode d'amélioration de N-canal de NX7002AK NEXPERIA (FET) dans un petit SOT23 (TO-236AB) Surface-a monté D

UE RoHS	Conforme
ECCN (US)	EAR99
Statut de partie	Actif
SVHC	Oui
Des véhicules moteur	Non
PPAP	Non
Catégorie de produit	Petit signal
Configuration	Simple
Technologie transformatrice	TMOS
Mode de la Manche	Amélioration
Type de la Manche	N
Nombre d'éléments par puce	1
Tension maximum de source de drain (v)	60
Tension de source de porte maximum (v)	20
Tension maximum de seuil de porte (v)	2,1
Drain continu maximum (a) actuel	0,19
Courant maximum de fuite de source de porte (Na)	2000
IDSS maximum (uA)	1
Résistance maximum de source de drain (MOhm)	4500@10V
Charge typique @ Vgs (OR) de porte	0.33@4.5V
Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée	15@10V
Dissipation de puissance maximum (mW)	325
Temps typique d'automne (NS)	5
Temps de montée typique (NS)	7
Temps de retard d'arrêt typique (NS)	11
Temps de retard d'ouverture typique (NS)	6
Température de fonctionnement minimum (°C)	-55
Température de fonctionnement maximum (°C)	150
Emballage	Bande et bobine
Paquet de fournisseur	SOT-23
Pin Count	3
Nom de forfait standard	IVROGNE
Support	Bti extérieur
Taille de paquet	1 (maximum)
Longueur de paquet	3 (maximum)
Largeur de paquet	1,4 (maximum)
La carte PCB a changé	3
Forme d'avance	Mouette-aile

Mots clés du produit:

mos field effect transistor 3 phase bldc surface mount diode identification

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