TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba Nand Flash parallèle 1.8V 1G a mordu 128M x 8 67 Pin VFBGA
Number modèle:TC58NYG0S3HBAI6
Point d'origine:La Thaïlande
Quantité d'ordre minimum:Quantité de paquet
Détails de empaquetage:bande et bobine
Délai de livraison:2 semaines
Conditions de paiement:T/T
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Shenzhen China
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Internatinal Logistics Center A-702, No. 1 South China Road, ShenZhen, China
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Détails du produit
TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba NAND Flash Parallel 1.8V 67-Pin VFBGA de 1G-bit 128M x 8
Spécifications techniques de produit
| UE RoHS | Conforme |
| ECCN (US) | 3A991.b.1.a |
| Statut de partie | Actif |
| Des véhicules moteur | Inconnu |
| PPAP | Inconnu |
| Type de cellules | Non-et |
| Chip Density (peu) | 1G |
| Architecture | Sectored |
| Bloc de botte | Non |
| Organisation de bloc | Symétrique |
| Largeur de bus d'adresses (peu) | 28 |
| Taille de secteur | 128Kbyte X 1024 |
| Taille de la page | 2Kbyte |
| Nombre de peu/Word (peu) | 8 |
| Nombre de mots | 128M |
| Programmabilité | Oui |
| Type de synchronisation | Asynchrone |
| Temps maximum d'effacement (s) | 0.01/Block |
| Temps de programmation maximum (Mme) | 0,7 |
| Technologie transformatrice | CMOS |
| Type d'interface | Parallèle |
| Tension d'alimentation minimum d'opération (v) | 1,7 |
| Tension d'alimentation typique d'opération (v) | 1,8 |
| Tension d'alimentation maximum d'opération (v) | 1,95 |
| Tension de programmation (v) | 1,7 1,95 |
| Actuel de fonctionnement (mA) | 30 |
| Courant de programme (mA) | 30 |
| Température de fonctionnement minimum (°C) | -40 |
| Température de fonctionnement maximum (°C) | 85 |
| Commande compatible | Non |
| Appui de CCE | Oui |
| Appui de mode page | Non |
| Paquet de fournisseur | VFBGA |
| Pin Count | 67 |
| Support | Bti extérieur |
| Taille de paquet | 0,7 (maximum) |
| Longueur de paquet | 8 |
| Largeur de paquet | 6,5 |
| La carte PCB a changé | 67 |
TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba Nand Flash parallèle 1.8V 1G a mordu 128M x 8 67 Pin VFBGA
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