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DESSUS les transistors MOSFET de semi-conducteur ont été conçus pour réduire au minimum le moment de résistance de sur-état fournissent la représentation de changement rocailleuse, fiable, et rapide. Sa dissipation de puissance maximum est 300 mW. La tension maximum de source de drain du produit est 60 V et la tension de source de porte est ±20 V. Ce transistor MOSFET a une gamme de température de fonctionnement de -55°C 150°C.
Caractéristiques et avantages :
• préfixe 2V pour applications des véhicules moteur et autres
exigeant des conditions uniques de rupture de site et de contrôle ;
AEC-Q101 a qualifié et PPAP capable (2V7002L)
• Ces dispositifs sont sans Pb, l'halogène Free/BFR libres et sont
RoHS conforme
Application :
• Contrôle de moteur servo
• Conducteurs de porte de transistor MOSFET de puissance