4 gaufrette de pouce LNOI réalisant l'intégration photonique compacte - piezowafer

4 gaufrette de pouce LNOI réalisant l'intégration photonique compacte

Number modèle:Gaufrette de LNOI
Point d'origine:LA CHINE
Quantité d'ordre minimum:25 PIÈCES
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Capacité d'approvisionnement:50000 PCS/Month
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Réalisation de l'intégration photonique de contrat avec des gaufrettes de 4-Inch LNOI

 

LNOI représente le niobate de lithium sur l'isolateur, qui est une technologie spécialisée de substrat utilisée dans le domaine du photonics intégré. Des substrats de LNOI sont fabriqués en transférant une couche mince de cristal du niobate de lithium (LiNbO3) sur un substrat isolant, typiquement le silice (SiO2) ou le nitrure de silicium (Si3N4). Cette technologie offre des avantages uniques pour le développement des dispositifs photoniques compacts et performants.

 

La fabrication des substrats de LNOI implique de coller une couche mince de LiNbO3 sur une couche d'isolation utilisant des techniques comme la liaison ou l'ion-coupe de gaufrette. Ceci a comme conséquence une structure où LiNbO3 est suspendu sur un substrat non-conducteur, fournissant l'isolement électrique et réduisant les pertes optiques de guide d'ondes.

 

Applications de LNOI :

  • Photonics intégré
  • Télécommunication optique
  • Détection et métrologie
  • Optique de Quantum

 

Gaufrette de LNOI
StructureLN/SiO2/SILTV/PLTV< 1="">) du millimètre2du 5/95%
Diamètre± Φ100 0,2 millimètresBord Exclution5 millimètres
Épaisseur500 μm du ± 20Arcmoins du μm 50
Longueur plate primaire± 47,5 2 millimètres
± 57,5 2 millimètres
Règlage de bord± 2 0,5 millimètres
Tailler de gaufretteR de typeAmbiantRohs 2,0
Couche supérieure de LN
Épaisseur moyenne400/600±10 nanomètreUniformité< 40nm="">
Index de réfractionaucun > 2,2800, Ne < 2="">Orientation± 0.3° d'axe des abscisses
CatégorieOptiqueRa extérieur< 0="">
Défauts>1mm aucun ;
1millimètre moinsde300totaux
DécollementAucun
Éraflure>1cm aucun ;
1cm moinsde3
Appartement primairePerpendiculaire + ± 1° d'axe des ordonnées
Isolement SiO2 couches
Épaisseur moyenne2000nm ± 100nm du ± 50nm 4700nm du ± 15nm 3000nmUniformité<>
Ouvrier. MéthodeOxyde thermiqueIndex de réfraction1.45-1.47 @ 633 nanomètre
Substrat
MatérielSIOrientation<100> ± 1°
Orientation plate primaire<110> ± 1°Résistivité> kΩ 10·cm
Contamination de postérieurAucune tache évidentePostérieurGravure l'eau forte

 

 

 


 

 

 

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