Gaufrette piézoélectrique de modulation à grande vitesse et de grande largeur de bande avec LNOI POI

Number modèle:Gaufrette de LNOI
Point d'origine:LA CHINE
Quantité d'ordre minimum:25 PIÈCES
Conditions de paiement:T/T
Capacité d'approvisionnement:1000 PCs/mois
Délai de livraison:1-4 semaines
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Hangzhou Shanghai China
Adresse: Chambre 1106, CIBC, n°198 rue Wuxing, Hangzhou, République populaire de Chine
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Permettre la modulation ultra-rapide et la grande largeur de bande avec LNOI POI

 

Piézo-électrique sur l'isolation (POI) se rapporte une technologie où des matériaux piézoélectriques sont intégrés sur un substrat isolant. Ceci tient compte de l'utilisation de l'effet piézoélectrique tout en fournissant l'isolement électrique. La technologie de POI permet le développement de divers dispositifs et les systèmes qui arment les propriétés uniques des matériaux piézoélectriques pour la détection, la mise en action, et l'énergie moissonnant des applications.

 

La technologie de POI (piézo-électrique sur l'isolation) trouve de diverses applications dans différents champs dus sa capacité de combiner les avantages des matériaux piézoélectriques avec l'isolement électrique. Comme des capteurs, des systèmes et stockage et génération de l'énergie Microelectromechanical.

 

La polyvalence d'intégrer les matériaux piézoélectriques sur un substrat isolant pour ouvrir des possibilités pour les solutions innovatrices dans les domaines divers, y compris l'électronique, énergie, soins de santé, et plus.

 

 

Gaufrette de LNOI
StructureLN/SiO2/SILTV/PLTV< 1="">) du millimètre2du 5/95%
Diamètre± Φ100 0,2 millimètresBord Exclution5 millimètres
Épaisseur500 μm du ± 20Arcmoins du μm 50
Longueur plate primaire± 47,5 2 millimètres
± 57,5 2 millimètres
Règlage de bord± 2 0,5 millimètres
Tailler de gaufretteR de typeAmbiantRohs 2,0
Couche supérieure de LN
Épaisseur moyenne400/600±10 nanomètreUniformité< 40nm="">
Index de réfractionaucun > 2,2800, Ne < 2="">Orientation± 0.3° d'axe des abscisses
CatégorieOptiqueRa extérieur< 0="">
Défauts>1mm aucun ;
1millimètre moinsde300totaux
DécollementAucun
Éraflure>1cm aucun ;
1cm moinsde3
Appartement primairePerpendiculaire + ± 1° d'axe des ordonnées
Isolement SiO2 couches
Épaisseur moyenne2000nm ± 100nm du ± 50nm 4700nm du ± 15nm 3000nmUniformité<>
Ouvrier. MéthodeOxyde thermiqueIndex de réfraction1.45-1.47 @ 633 nanomètre
Substrat
MatérielSIOrientation<100> ± 1°
Orientation plate primaire<110> ± 1°Résistivité> kΩ 10·cm
Contamination de postérieurAucune tache évidentePostérieurGravure l'eau forte

 

 

 


 

 

 

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Gaufrette piézoélectrique de modulation à grande vitesse et de grande largeur de bande avec LNOI POI

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