IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Mosfet de puissance IRFB7440PBF 40V 120A
Number modèle:IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF
Point d'origine:La Chine
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Shenzhen Hongkong China
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1607B Construction côtière bloc est district de Nanshan Shenzhen Chine 518000
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IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A Transistors TO-220AB HEXFET FET MOSFET
Transistors N-Channel 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FET MOSFET
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
La description:
Ce MOSFET de puissance HEXFET® utilise les dernières techniques de
traitement pour obtenir une résistance l'état passant extrêmement
faible par zone de silicium.
Les caractéristiques supplémentaires de ce produit sont une
température de fonctionnement de jonction de 175°C, une vitesse de
commutation rapide et une meilleure résistance aux avalanches
répétitives.Ces caractéristiques se combinent pour faire de cette
conception un appareil extrêmement efficace et fiable pour une
utilisation dans une grande variété d'applications.
Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Trou traversant TO-220AB Spécification
:
Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant | Infineon Technologies |
Séries | HEXFET® |
Paquet | Tube |
Type FET | Canal N |
La technologie | MOSFET (oxyde métallique) |
Tension drain source (Vdss) | 40V |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 180A (TC) |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3,7 mOhms 75 A, 10 V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC 10 V |
Vg (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4340 pF 25 V |
Fonction FET | - |
Dissipation de puissance (maximum) | 200W (TC) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | travers le trou |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet/caisse | TO-220-3 |
Numéro de produit de base | IRF1404 |
Classifications environnementales et d'exportation
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| Statut RoHS | Conforme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité l'humidité (MSL) | 1 (Illimité) |
| Statut REACH | REACH non affecté |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Mosfet de puissance IRFB7440PBF 40V 120A
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