Transistors MOSFET discrets de puissance des semi-conducteurs SIHF10N40D-E3 de transistor de la Manche de N
Number modèle:SIHF10N40D-E3
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:10
Conditions de paiement:T/T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:500000PCS
Délai de livraison:2-15days
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Fournisseur Vérifié
Shenzhen Hongkong China
Adresse:
Fl12, secteur Shenzhen Chine 518000 de LongHua du monde de la tour E XingHe
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Détails du produit
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Détails du produit
Le transistor de canal des transistors MOSFET N de la puissance
SIHF10N40D-E3 fonctionne en mode d'amélioration
La dissipation de puissance maximum du SIHF10N40D-E3 de Vishay est
33000 mW. Ce transistor de transistor MOSFET de canal de N
fonctionne en mode d'amélioration.
Ce transistor de transistor MOSFET a une température de fonctionnement minimum du °C -55 et un maximum de 150 °C.
Si vous devez amplifier non plus ou commuter entre les signaux dans
votre conception, alors le transistor MOSFET de puissance du
SIHF10N40D-E3 de Vishay est pour vous.
Spécifications techniques de produit
| UE RoHS | Conforme |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Statut de partie | Actif |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Des véhicules moteur | Non |
| PPAP | Non |
| Catégorie de produit | Transistor MOSFET de puissance |
| Configuration | Simple |
| Mode de la Manche | Amélioration |
| Type de la Manche | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension maximum de source de drain (v) | 400 |
| Tension de source de porte maximum (v) | ±30 |
| Tension maximum de seuil de porte (v) | 5 |
| Drain continu maximum (a) actuel | 10 |
| Courant maximum de fuite de source de porte (Na) | 100 |
| IDSS maximum (uA) | 1 |
| Résistance maximum de source de drain (MOhm) | 600@10V |
| Charge typique @ Vgs (OR) de porte | 15@10V |
| Charge typique @ 10V (OR) de porte | 15 |
| Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée | 526@100V |
| Dissipation de puissance maximum (mW) | 33000 |
| Temps typique d'automne (NS) | 14 |
| Temps de montée typique (NS) | 18 |
| Temps de retard d'arrêt typique (NS) | 18 |
| Temps de retard d'ouverture typique (NS) | 12 |
| Température de fonctionnement minimum (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximum (°C) | 150 |
| Paquet de fournisseur | TO-220FP |
| Pin Count | 3 |
| Nom de forfait standard | TO-220 |
| Support | Par le trou |
| Taille de paquet | 16,12 (maximum) |
| Longueur de paquet | 10,63 (maximum) |
| Largeur de paquet | 4,83 (maximum) |
| La carte PCB a changé | 3 |
| Étiquette | Étiquette |
| Forme d'avance | Par le trou |
| Numéro de la pièce | SIHF10N40D-E3 |
| Numéro de la pièce bas | SIHF10N40 |
| UE RoHS | Conforme avec l'exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Statut de partie | Actif |
| HTS | 8541.29.00.95 |
Plus de numéro de la pièce pour le semi-conducteur général :
| Numéro de la pièce | MFG | Type de Packge |
| JW1060 | JuWell | SOP8-E |
| SL1053 | SILAN | SOP8 |
| ST8550D | St | TO-92 |
| SS8050DBU | St | TO-92 |
| PC847 | FAIRCHILD | DIP-16 |
| PC817A | FAIRCHILD | DIP-4 |
| PC123F | DIÈSE | DIP-4 |
| OB2353 | OB | SOP-8 |
| NE555P | St | DIP-8 |
| MC34063 | SUR | SOP-8 |
| LM7806 | St | TO-220 |
| LM78051A | St | CONCESSION |
| LM358 | St | SOP-8 |
| LM339 | St | CONCESSION |
| LM324 | St | SO-14 (SMD) |
| LM2575T | St | TO-220 |
| LM 7815 | St | TO-220 |
| LL4148-GS08 | St | LL34 |
| L7812CV | St | TO-220 |
| KA78M09 | FAIRCHILD | TO-252 |
| IRFZ44V2A | IR | TO-220 |
| IRFP460 | IR | TO-247 |
| IRF840 | IR | TO-220 |
| HEF4013 | PHILIPS | SOP-14 |
| FQPF12N60C | FAIRCHILD | TO-220F |
| DTC143ZUAT106 | ROHM | SOT-323 |
| DINS4 | SHINDENGEN | DIP-2 |
| IRFR9024N | IR | TO-252N |
| BAV99 | Philip | SOT-23 |
| BA033ST | ROHM | SOT252 |
| AM5888SL/F | AMTEL | HSOP-28 |
| 93LC66B | PUCE | DIP-8 |
| 93LC46 | PUCE | DIP-8 |
| 93C46B | PUCE | SOP-8 |
| 78L05 | St | TO-92 |
| 78L05 | St | SOT89 |
| 74HC4066D | Philip | SMD |
| 74HC4066 | PHILIPS | SO-14 |
| 74HC164 | Philip | CONCESSION |
| 24LC128 | PUCE | DIP-8 |
| 24LC08B | PUCE | DIP-8 |
| 1N5822-B | diodes inc. | DO-201AD |
| MC1413DR2G | SUR le semi-conducteur | SOP-16 |
| HEF4069 | Philip | SO-14 (MOTOROLA) |
Transistors MOSFET discrets de puissance des semi-conducteurs SIHF10N40D-E3 de transistor de la Manche de N
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